用两种方法合成长余辉发光玻璃的对比研究

在还原性气氛下高温固相反应法（一步法）合成了长余辉发光玻璃GA；用SrAl2O4:Eu,Dy荧光粉（SAED）与玻璃粉混合高温熔融（二步法）合成了长余辉发光玻璃GB和GC，通过XRD，发光光谱和磷光衰减曲线对样品进行了表征，荧光粉SAED和玻璃GA，GB，GC的发射峰值依次是525，493。462，516nm，发光强度和余辉时间都是SAED＞GC＞GB＞GA，玻璃的发射光谱峰随玻璃组成不同发生位移，两种发生合成的夜光玻璃发光性质存在明显的差异，同一合成方法下，玻璃基料决定着玻璃网络结构，同时也影响着夜光玻璃的发光性质。     

La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的光谱, 发现Ce3+在La2CaB10O19中共有两种格位, 分别取代了十配位的La3+和八配位的Ca2+, 从而发射光谱中没有出现特征的双峰, 而出现了峰值约位于307, 330和356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂, 激发光谱中位于194, 224, 243, 260, 274和318 nm的峰是由两个格位的Ce3+的f-d跃迁引起的.Ce3+占据两个格位, 可以通过以Eu3+为荧光探针的发射光谱中出现的两个5D0-7F0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带, 与基质禁带宽度相对应.通过计算, 不排除其中包含O2-→Ce3+的电荷迁移带的可能性.     

微波辅助合成发光可调ZnS∶Cu纳米晶

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用微波辐射加热方法制备了水溶性的Cu掺杂的ZnS纳米晶. 通过改变微波条件, 可以在460～572 nm之间实现对ZnS∶Cu纳米晶发射峰位的连续调控. 通过XRD、 UV-Vis、荧光及荧光衰减对ZnS∶Cu纳米晶的结构和发光性质进行了详细探索, 并利用时间分辨荧光光谱对其发光机理进行了初步研究.     

聚合膜薄膜电致发光器件

综述了聚合物薄膜电致发光器件的材料，结构，发光机理，研究现状和目前存在主要问题，同时对发展方向也进行了简单介绍。     

新型陶瓷材料的光激励发光性质研究

针对以往电子俘获光存储材料存在的问题，利用高温固相反应发制备了一种Eu^2 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷，研究表明在该材料中具有光激励发光(PSL)特性，并可用于电子俘获光存储。XRD分析表明该材料含有大量的BaF2微晶。根据其与BaF2相似的发光特性，推断玻璃陶瓷的PSL有可能来源于微晶中Eu^2 的5d-4f发射。但是决定光激励发光过程中的电子(空穴)陷阱的存在方式、电子迁移途径都有待进一步探讨的问题。与传统的BaFCl：Eu相比，这种材料的光激励发光衰减速度较慢。     

BaFClxGBr1—X：Sm体系的热释发光及其归属讨论

通过对ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ（０≤ｘ≤１）体系热释发光的研究，发现前人对ＢａＦＸ（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）晶体热释发光的归属有误。结合多种技术的研究给出了正确的归属：ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ的第一、二、三个热释峰分别归属于Ｆ（Ｆ＾－），Ｆ（Ｃｌ＾－）和Ｆ（Ｂｒ＾－）心；ＢａＦＸ晶体的第一、二个热释峰分别归于Ｆ（Ｆ＾－）和Ｆ（Ｘ＾－）心。论证了结果的正确性，并分析了前人归属错误的可能原因。     

Eu（TTA）3·1／2（4，4′－bipyN_2O_2）配合物的发光光谱

在７７Ｋ下测定了Ｅｕ（ＴＴＡ）３·１／２（４，４′－ｂｉｐｙＮ２Ｏ２）配合物的激发光谱、发光光谱和时间分辨光谱。光谱数据表明，在标题配合物中存在化学环境不同的两种Ｅｕ３＋格位，但它们的局部对称性都属于Ｃ２Ｖ点群，这可能表明该配合物的激发态电子结构稍有不同     

双8-羟基喹啉端开链冠醚金属络合物的光物理性质

设计合成了双8-羟基喹啉端的开链冠醚QP3Q,研究了金属离子铝或锌与其形成络合物的组成和发光性质,并测定了络合物的激发态寿命.这些络合物在溶液中有较高的荧光量子产率,所得到的络合物固体具有较强的蓝光发光性能.结果表明,有可能通过QP3Q与不同离子形成的络合物得到不同发光波长的发光材料.     

CaBPO5：RE（RE=Eu，Tb）的水热合成及其发光特性

利用水热法合成了CaBPO5：RE(RE=Eu，Tb)荧光体并测试了其结构和光谱，讨论了其发光性质，并与高温固相法合成的产物作了对比．结果表明，由于电子转移。Eu^3 ,Tb^3 和Eu^2 共存于同一体系中，而且Eu^2 的发射位置从402nm移至428nm,在双掺杂体系中引入Ce^3 ．Eu^3 ，Tb^3 和Eu^2 的发光强度均有所增强,这可能是Ce^3 与Eu^3 之间的电子转移及各种稀土离子之间能量传递相互竞争的结果。