液相色谱－电致化学发光检测系统的检测性能研究

 使用几种常见的反相液相色谱介质和４种多环化合物对液相色谱交流电致化学发光检测系统的性能进行了测试，结果表明：检测器对４种化合物的检测限均可达到２．０ｎｇ，线性范围达３个数量级。     

细胞色素C的电化学行为研究

本文评述了细胞色素Ｃ电化学研究的发展概况，重点介绍了细胞色素Ｃ在促进剂作用下的电化学行为，促进剂种类，影响促进作用的因素及促进机理。     

电流密度对钙磷沉积层组成和结构的影响(英文)

用X射线衍射、激光拉曼光谱以及等离子体原子发射光谱等技术研究了电化学沉积钙磷陶瓷过程中 ,电流密度对电沉积层组成和结构的影响 .实验表明阴极表面得到的沉积物是几种钙磷盐组成的混合物 ,且其成份随电流密度的改变而发生较大的变化 .在电解液温度为 75℃条件下 ,当控制电流密度较低时 ,沉积层主要由CaHPO4· 2H2 O (DCPD)和Ca8H2 (PO4) 6· 5H2 O (OCP)组成 ;随着电流密度的增加 ,阴极表面逐渐生成Ca3 (PO4) 2 ·nH2 O (TCP)和Ca10 (PO4) 6(OH) 2 (HAP) .当电流密度大于 5mA/cm2 时 ,电沉积层的主要成份为羟基磷灰石 (HAP) .     

CeO2陶瓷的介电频响研究

研究了CeO_2陶瓷室温下低频和射频的介电谱,并给出了介电常数和介质损耗及其与温度的关系。测量结果表明,此种陶瓷存在弛豫极化,其偶极子的弛豫时间约为5×10~(-9)S。在330℃以下,CeO_2陶瓷的介电常数和介质损耗具有良好的温度特性。在室温下,CeO_2陶瓷在500kHz～50MHz频率范围内具有良好的介电特性。     

导电性聚呋喃的氧化合成及应用

总结了芳香族聚呋喃的氧化聚合方法,系统论述了聚合过程中影响聚呋喃性质的各种因素,推测了聚呋喃的链结构,介绍了聚呋喃的各种改进方法和效果。指出聚呋喃及其共聚物是一种电导率在10-11到10-1S.cm-1范围内有机半导体材料,其电聚合沉积膜具有奇特的电活性、优良的热加工性和特殊的表面形貌,可望在金属离子和有机物质的吸附与富集、传感探测等领域发挥作用。     

3,3',5,5'-四甲基联苯胺在SnO2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究

3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH＜4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0～pH＜7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数.     

强致突变物二硝基苯并(a)芘的合成、结构与致突变性研究

本文通过苯并(a)芘与HNO_3的亲电取代反应,合成了两个新化合物二硝基苯并(a)芘异构体。用HPLC分离、分析了产物,并用IR、~1H NMR、MS和HEMS谱研究了其结构,证明产物为1,6-二硝基苯并(a)芘(1)和3,6-二硝基苯并(a)芘(2)。短期生物试验——Ames试验结果表明两个异构体均为强直接致突变物。     

刺五加味中黄酮类化合物的分析

利用电喷雾多级串联质谱（ESI－MS^n)技术，分析了刺五加叶中黄酮类化合物，并根据黄酮类化合物的特征显色反应，采用紫外－可见分光光度法，对刺五加叶中总黄酮的含量进行了测定。分析结果表明：刺五加叶含有槲皮素及其相关的黄酮甙类化合物，其含量达37．25％。     

熔盐电解合成希土六硼化物的研究——REBO3、LiBO2和LiF体系熔盐电解合成RER6

本文在800℃和空气中电解REBO₃-LiBO₂-LiF熔盐体系合成了单相的REB₆.石墨川埚兼作容器和阳极.耐火金属棒如Cu和Mo等被悬吊在电解质中作为阴极.根据似二元体系LiBO₂-LiF和LiBO₂-LaBO₃的低熔点组成以La₂O₃、B₂O₃、Li₂CO₃和LiF为原料找到了具有较低熔点的熔盐体系.根据X射线粉末衍射,该熔体是由REBO₃、LiBO₂和LiF三个物相组成.     

多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。