机械球磨方法合成稀土过渡族氧化物

本文采用机械球磨的方法，为合成稀土过渡族氧化物的固溶体Ｌａ１－ｘＥｕｘＦｅＯ３提供了新的方法和手段。对球磨合成的样品进行ｘ－ｒａｙ衍射分析，结果表明：随着球磨时间的增加，合成的效果变好，衍射峰的强度下降，衍射峰越来越宽，粒度越来越小。同时将合成的样品进行分析，从而得到了一些有价值的资料和信息。     

旋转圆盘下的流场解及熔硅中溶质有效分凝系数的计算

本文在导出旋转圆盘下磁流场的解析解的基础上,计算不同的轴向磁场强度下,一维模型的场流速度及熔硅中熔质有效分凝系数K_eff,并进行计算机模拟图解。结果表明,磁场使场流受到强烈的抑制;而且,对给定的转速,溶质的K_eff随磁场强度增加而增加,而后在一定的磁场强度范围内趋于常数。同时还发现,K_eff强烈地依赖于溶质的扩散系数。 关键词：     

二茂铁基正庚基β－二酮过渡金属配合物的合成与表征

二茂铁基正庚基β－二酮过渡金属配合物的合成与表征刘占梅，商亚东，孙玉章（内蒙古大学化学系，０１００２１，呼和浩特）关键词三茂铁，β－二酮，过渡金属配合物中图资料分类号Ｏ６２７．８１ｓｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＴｒａｎｓ...     

Ni基带上的氧化物过渡层制备

本文采用溅射沉积方法在双轴织构的Ni-W5%基带上制备了CeO2和Y2O3薄膜.研究表明CeO2薄膜在Ni基带上的外延方式受生长速率、生长温度的控制.在快速沉积情况下,CeO2薄膜为(111)取向,在沉积速率较低时,以(00l)取向为主.CeO2薄膜沉积过程中,可以有效避免Ni的氧化.在Y2O3的沉积过程中,Ni基带的氧化不可避免,但其氧化物也有良好的取向.     

Ni基带上的氧化物过渡层制备

本文采用溅射沉积方法在双轴织构的Ni—W5％基带上制备了CeO2和Y2O3薄膜．研究表明CeO2薄膜在Ni基带上的外延方式受生长速率、生长温度的控制．在快速沉积情况下，CeO2薄膜为（111）取向，在沉积速率较低时，以（001）取向为主．CeO2薄膜沉积过程中，可以有效避免Ni的氧化．在Y2O3的沉积过程中，Ni基带的氧化不可避免，但其氧化物也有良好的取向．     

激光微细熔覆快速原型制造的厚膜电容组织性能

针对传统工艺制备的厚膜电容尺寸有限、容量低、损耗大，仅限于一些特定的应用领域，提出采用激光微细熔覆快速原型制造技术在陶瓷基板上制备电容，它具有速度快，不需要掩膜等特点。着重分析电容器的组织性能以及电容、介电常数、品质因数和绝缘电阻等电器性能，并对电容器的形成机理进行了研究。实验证明，激光微细熔覆快速原型制造技术比传统烧结工艺制备的厚膜电容容量大、再现性好，其组织致密、均匀，不存在界面成分的扩散。     

双环,三纤互耦全光纤熔锥滤波器

通过将熔锥结构中强、弱耦合段的总幅度耦合系数与滤波网络方程中的幅度耦合系数等效的方法。定量分析了双环、三纤互耦滤波器的频谱特性，实验滤波器通带特性的测试结果与理论分析基本吻合。     

二硫纶联吡啶过渡金属配合物的红外光谱与配位方式

详细报道了二硫纶联吡啶过渡金属配合物Ｍ（ｍｎｔ）（ｂｐｙ），Ｍ＝Ｍｎ（Ⅱ）、Ｆｅ（Ⅱ）、Ｃｏ（Ⅱ）、Ｎｉ（Ⅱ）、Ｃｕ（Ⅱ）、Ｚｎ（Ⅱ）的红外光谱实验数据．对比二硫纶二甲基联吡啶金属配合物Ｍ（ｍｎｔ）（ｄｍｂｐｙ）和二硫纶邻菲咯啉金属配合物Ｍ（ｍｎｔ）（ｐｈｅｎ）的红外光谱，分析了Ｍ（ｍｎｔ）（ｂｐｙ）的简正坐标，并结合热谱、电子光谱等性质研究了二氰基二硫纶和联吡啶与金属离子的配位方式     

稀土氧化物对焊条熔敷金属抗高温硫化腐蚀机制的研究

通过在焊条药皮中分别添加稀土氧化物La2O3及CeO2，研究其对焊条熔敷金属在含硫气氛中腐蚀性能的影响。并在此基础上，进一步分析了稀土氧化物对焊缝金属抗高温硫化腐蚀的作用机制，结果表明：稀土氧化物在焊条药皮中的加入使熔敷金属抗高温硫化腐蚀性能有显著提高，添加La2O3的焊条熔敷金属比添加CeO2的焊条熔敷金属具有更好的抗高温硫化腐蚀性能。提高焊缝金属抗高温硫化腐蚀性能的机制，与稀土元素在焊缝组织中的分布、减少内硫化的加速腐蚀过程相关。