Dielectric spectroscopy studies of ZnO single crystal

Dielectric relaxation and charge transport induced by electron hopping in ZnO single crystal are measured by using a novocontrol broadband dielectric spectrometer. Typical Debye-like dielectric relaxation originating from electronic hopping between electronic traps and conductive band in surface Schottky barrier region is observed for ZnO single crystal-Au electrode system. However, after insulation of ZnO single crystal by heat treatment in rich oxygen atmosphere, dielectric relaxation and alternating current conductance are observed simultaneously in the dielectric spectra, implying that dielectric relaxation and charge transport can be induced simultaneously by electronic hopping at high temperature in an ordered system. The intrinsic correlation between local dielectric relaxation and long range charge transport offers us a new method to explore complicated dielectrics.     

N/I/d波超导体结中的准粒子非弹性散射效应

考虑准粒子的非弹性散射和正常金属区域的杂质散射,以方势垒描述N/I/d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,运用Bogoliubov-de Gennes(Bde)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N/I/d波超导体结的隧道谱.研究表明;(1)伴随着准粒子的非弹性散射效应,绝缘层的势垒值及绝缘层厚度对零偏压电导峰值有显著影响;(2)准粒子有限寿命的缩短,可压低零偏压电导峰,并抹平能隙处的小峰或凹陷;(3)较大的杂质散射会导致零偏压电导峰的劈裂,而准粒子的非弹性散射则可有效地阻止其劈裂.     

重离子反应中质子与中子转移对超重元素合成的影响

研究了采用类弹碎片质量数为变量的一维(1D)主方程(ME)描述重离子熔合反应时的受限制条件, 建立了以类弹碎片中子和质子数为独立变量的二维(2D) ME, 并采用分步差分格式法数值解(2D) ME得到了熔合几率。 新的方法适用于研究任何弹靶组合系统, 给出了与实验符合更好的结果, 为寻求合成超重核的反应道提供了更为宽阔的选择空间。 同时也研究了弹靶的不同同位旋组合对复合核形成截面的影响。 The limitation of the one dimensional master equation with the mass number of project like fragment as the variable is discussed. A two dimensional master equation with neutron and proton numbers of the project like fragment as variables is set up, and solved numerically by means of a two step difference scheme to obtain fusion probability. The new equation is suitable for studying fusion reactions with any projectile target combination, and can better fit the experimental data, so that it can provide a large probability to choose the reaction system for synthesizing a certain superheavy nucleus. The influence of projectile target combinations with different isospins on the cross sections of compound nuclei is studied.     

基于传输线CMOS肖特基二极管W波段混频器

采用130 nm CMOS工艺,设计一种工作频率在94 GHz的高频无源混频器.该混频器为单平衡式结构,主要采用具有良好高频特性的肖特基势垒二极管与互补型传导传输线(CCS-TL)来实现.电路主要分为三部分:环形波导耦合器(Rat-race coupler),反向并联二极管对,低通滤波器.输入本振信号频率94 GHz,射频信号频率94.1 GHz,输出中频信号频率100 MHz.在电路直流偏置电压为0.5 V,本振信号PLO=0 dBm时,混频器的变频损耗为17 dB,P_(LO)=10 dBm,变频损耗为14.6 dB.经测试LO端口与RF端口的回波损耗分别为-13.4 dB,-16.7 dB,LO与RF的隔离度为26.2 dB.     

窄间隙埋弧焊接头熔合区弱化的研究

低合金Cr-Mo耐热钢结构的焊接成形广泛应用于能源、化工等大型重要装备的制造中,对焊接区强度、韧性、蠕变性能有很严格的要求。但由于焊接区存在填充金属、熔合区、母材淬硬区、软化区化学成份、组织和性能的显著差异,焊接接头的力学行为与均质材料表现出很大的不同,需采用能同时体现出各区力学特点的跨区实验寻找其中的薄弱环节。该文对典型的2.25Cr-1Mo耐热钢窄间隙多层多道埋弧焊焊接接头进行了跨区三点弯曲试验,在熔合区附近存在二次裂纹;采用断口扫描电镜、金相分析、显微硬度测试及数值模拟方法对此裂纹的成因进行研究。结果表明:熔合区主要为较软的铁素体组织,紧邻淬硬区高硬的马氏体组织,在裂纹附近存在较大的硬度分布不均。进一步的有限元分析表明:由于硬度分布不均导致应力集中,致使弱化的熔合区在试验中产生二次裂纹。该结论对于调整焊接材料与母材的组配形式以及调整焊接工艺都具有较重要意义。     

不饱和类硅烯H2C=SiNaCl的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了不饱和类硅烯H2C=SiNaCl的结构.结果表明,不饱和类硅烯H2C=SiNaCl共有4种平衡构型,其中非平面的p-配合物型构型能量最低,是不饱和类硅烯H2C=SiNaCl存在的主要构型.对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算,求得了转化势垒.计算预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.     

朗道排名与朗道势垒

<正>出生于1908年1月22日的列夫·朗道(Lev Landau)是前苏联最伟大的理论物理学家,他一生可谓死过两次:发生于1962年1月7日的一场车祸葬送了作为物理学家的朗道,因为他从此无法再进行任何深刻的思辨;另一方面,朗道的心脏于1968年4月1日停止跳动,享年60岁。朗道是个性情怪异、脾气暴躁的人,恃才傲物。无论在生活中还是在科学上,他都喜欢大发煽情的议论,经常出言不逊,以吸引公众的注意力,或者引发别人对他的愤怒,因此一生树敌众多。朗道是前苏联少有的对酒精饮料不感兴趣的男人,这归因于他在巴库国立大学读书时,未能完成化学专业的学习,从而对与化学     

一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管

针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10~(-13) A,开关电流比高达10~(10),平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。     

金刚石(111)氢化表面脱氢势垒的量子化学研究

采用MNDO(UHF)方法,计算金刚石(111)面的脱氢势垒。在与气相有机分子脱氢活化能实验值系统比较的基础上,在一组尺度不同的金刚石表面团簇模型上进行了计算,结果收敛于42±4kJ/mol.并与MNDO(RHF)和AM1(UHF、RHF)方法给出的相应结果进行了比较。