温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响

相同测试条件下,纳米钛氧化物忆阻器的导电过程存在不稳定性,制约了对器件瞬态阻抗的精确读取与控制,并影响了器件应用于电路设计的可靠性与稳定性.杂质漂移与隧道势垒的共存是导致上述不稳定性的可能因素,且杂质漂移特性与环境温度密切相关.然而,目前尚无通过控制温度提高忆阻器导电稳定性的具体研究.基于杂质漂移与隧道势垒共存,本文分析了温度与忆阻器导电特性的关联,研究了器件活跃区域厚度及初始掺杂层厚度的改变对临界温度的影响,利用SPICE软件进行了仿真验证并给出结果,得出提高忆阻器导电稳定性的方法有:增大活跃区域厚度、降低初始杂质浓度及保持环境温度稳定且低于临界温度,从而为制备性能稳定的忆阻器及推动器件在实际电路中的应用提供依据.     

Schottky Barrier Formation at a Carbon Nanotube-Scandium Junction

Recent experiment shows that scandium （Sc） can make a good performance contact with carbon nanotubes （CNTs） to fabricate n-type field effect transistor （n-FET）. We study the Schottky barrier （SB） of scandium （Sc） and palladium （Pd） with a （8,0） single-wall CNT （SWCNT） using first-principles calculation. It is found that the p-type SB height （SBH） of the Pd-CNT contact is about 0.34 eV, which is in good agreement with the experimental data. For the Sc-CNT contact, an n-type contact is formed and the SBH is about O.08eV in agreement with the experimental observations. Our calculation demonstrates that by contacting CNT with Pd and Sc, p-FET and n-FET can be fabricated, respectively. The dipole effect at the interface is used to explain our result.     

一种研究自旋翻转散射效应的新方法

金属中自旋翻转散射长度远长于电子平均自由程，近来关于自旋翻转散射效应的研究主要集中于扩散区域．文章作者提出了一种使用双势垒磁性隧道结来研究纳米尺度结构中弹道区域的自旋翻转散射效应的新方法．这种方法可以从磁电输运性质的测量，得出中间隔离层中的自旋翻转散射效应的温度和偏压关系，进一步可以得出诸如电子平均自由程和自旋翻转散射长度等自旋散射信息，以及中间层的态密度和量子阱信息．     

Electron Holography of Barrier Structures in Co／ZrAlOx／Co Magnetic Tunnel Junctions

We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co.     

超重核合成进展

介绍了超重核合成的历史和现状 ,对现有的超重核合成的实验情况和理论模型做了评述 ,指出了在国内利用现有设备和放射性核束装置开展超重核合成可能的方案     

A1/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes with inhomogeneous barrier heights

This paper investigates the current-voltage （I-V） characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes （SBDs） in the temperature range of 77 K-500 K, which shows that Al/Ti/4H SiC SBDs have good rectifying behaviour. An abnormal behaviour, in which the zero bias barrier height decreases while the ideality factor increases with decreasing temperature （T）, has been successfully interpreted by using thermionic emission theory with Gaussian distribution of the barrier heights due to the inhomogeneous barrier height at the A1/Ti/4H-SiC interface. The effective Richardson constant A＊ = 154 A/cm2 . K2 is determined by means of a modified Richardson plot In（I0/T2） - （qσ）2/2（κT）2 versus q/kT, which is very close to the theoretical value 146 A/cm2 · K2.     

激光诱导击穿光谱对焊缝熔合区的元素成分分布分析

激光诱导击穿光谱(LIBS)是近十几年来快速发展的一种新的表面分析工具,由于具有分析速度快、灵敏度高等优点,故在材料科学领域引起广泛的关注。文中采用LIBS、扫描电子显微镜／能谱仪(SEM/EDS)和电子探针显微分析(EPMA)三种分析方法,对两类不同焊缝的熔合线区域进行线扫描分析,研究了Ni,Mn,C,Si等元素在熔合线区域含量的变化情况。结果表明,对于含量较高且焊缝和母材成分差别较大的Ni和Mn元素,三种方法获得了一致的分析结果,两试样焊缝内的Ni和Mn含量均高于母材,在熔合线区域明显体现出浓度梯度分布。三种方法根据Ni和Mn的浓度分布测得的熔合线区宽度值比较接近。对于含量较低且焊缝和母材成分差别较小的C和Si元素,采用SEM/EDS和EPMA时,焊缝与母材之间的成分差异没有分析出来;而采用LIBS时,两区域的成分差异则可以清晰的展现出来,在熔合区域能够清楚观察到浓度梯度分布曲线。LIBS的分析灵敏度明显高于SEM/EDS和EPMA,在分析低含量元素时更具优势。     

预平衡裂变

实验证明,重离子熔合裂变与入射道的质量不对称有关,说明对于某些反应体系,熔合形成的复合体系,裂变时未忘记其形成的历史.在实验观察的基础上,我们提出了预平衡裂变模型,解释了重离子垒下熔合裂变碎片角分布各向异性异常.     

离线γ技术测量重离子熔合复合核平均角动量

使用离线γ测量技术在质心系25.0—40.5MeV的能区测量了¹²C+⁹³Nb熔合反应产生的二中子和三中子蒸发道的激发函数。由于在相同的激发能下,蒸发道的相对截面比与复合核的角动量有很强的依赖关系,应用统计蒸发程序(CASCADE),从二中子和三中子蒸发道的截面中提取不同能量下的复合核平均角动量和熔合截面。同时从能很好地拟合熔合激发函数的简单耦合道模型(CCFUS)计算中提取复合核的平均角动量。两种方法得到的复合核平均角动量随入射能量的变化相自洽,表明耦合道模型 关键词：     

基于Matlab的势垒贯穿透射系数研究

粒子在经过一个势垒时,无论粒子能量和势垒高度存在怎样的关系,理论上都有一定的透射.本文用Matlab软件探讨了粒子对于宽度为n*a的势垒和n重宽度为a的势垒进行贯穿时的透射系数.研究结果说明:在E/U1情况下,宽度为na的势垒的贯穿透射系数较n重宽度为a的势垒的贯穿系数大;当E/U1时,情况则相反.