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11.
平面波通过强度不相等的两个δ势垒问题的求解 总被引:1,自引:0,他引:1
对平面波通过强度不相等的两个δ势垒(阱)的定态薛定谔方程作了详细的理论计算,得到了此问题的解.讨论了解的物理含义,分析了入射波产生共振透射的条件及其亚稳态的描述方法 相似文献
12.
多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析 总被引:2,自引:2,他引:0
利用Chebyshev多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱(MQW)系统的束缚电子级公式,并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应MQW系统量子能级的差异。 相似文献
13.
非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。 相似文献
14.
15.
研究了氢对不锈钢堆焊层熔合区的断裂韧性的影响作用。发现不锈钢堆焊层熔合区的断裂韧性随着充氢时间的增加而下降,结果表明,氢是引起加氢反应器不锈钢堆焊层剥离的主要因素。 相似文献
16.
NO2气相硝化金刚烷的计算研究 总被引:3,自引:0,他引:3
运用密度泛函理论(DFT)和半经验MO-PM3方法研究了NO2气相硝化金刚烷反应机理. 计算结果表明, NO2不能直接取代金刚烷H; 在B3LYP/6-311++G(3df,2pd)//B3LYP/6-31G* 较高水平下, 对三个可能机理的反应势垒(Ea)的精确计算表明, 该反应的决速步骤为NO2中O和N进攻1-H的竞争过程, 且1-硝基金刚烷为主要产物. NO2中O进攻1-H决速反应过程中, 分子几何、原子自然电荷及IR光谱变化表明, C—H键的断裂和N—H键的形成是一个协同过程; 参与新键形成和旧键断裂原子C(1), H(11), O(28), O(29)和N(27)的原子自然电荷及与其相关的键长、键角有明显的变化. 反应过程中体系偶极矩的变化表明, 极性溶剂能降低反应势垒, 有利于反应的进行. 相似文献
17.
本文采用以ASED-MO(含原子对排斥的EHMO法)为基础的结构自动优化的EHTOPT法及Monte-Carlo法, 对甲醇羰基化制乙酸催化剂的共聚物配体交替结构进行了理论研究。计算了AA, AB, BB, BA二聚反应的反应途径, 找出了过渡态, 并确定了反应活化势垒。在假设两反应频率因子相同的前提下, 求出竞聚率, 采用Monte-Carlo法模拟共聚物结构, 计算出共聚物配体中起催化活性的AB交替结构所占比率。比较不同共聚物配体的活性, 并研究了温度及单体配比对共聚物配体交替结构的影响。 相似文献
18.
用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究,从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明,当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下,非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。 相似文献
19.
基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”.n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。 相似文献
20.
林鸿生 《北京大学学报(自然科学版)》1997,33(3):346-353
基于实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经主同强度光辐照过的a-Si:HSchottky势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。 相似文献