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931.
制革业是我国重要的工业门类,年废水排放量2亿t以上。制革废水中油脂、皮屑、胶原蛋白等大分子有机物含量较高,同时兼具高盐、高碱、高负荷的特点,已被相关部门列为重点监控的工业污染源。在制革废水的处理方面,不仅要关注进出水的水质参数,同时也要监测废水处理过程污染物的转化规律,以便为废水处理工艺的优化和废水处理设备的研发提供基本数据。溶解性有机物(DOM)广泛存在于各类水体中,是表征废水理化性质和净化程度的重要参数。目前,对于制革废水处理过程DOM性质的研究尚很欠缺。以此为切入点,采用元素分析、热重分析、红外光谱和核磁共振表征制革废水不同处理工段的DOM样品。研究发现:制革废水处理时间的延长导致DOM中C元素含量升高,H/C原子比先增加后降低,说明大分子有机物首先被分解为小分子链状结构,最终存在于水体的是极难降解的终极结构组分。DOM脂肪族化合物和蛋白组分的热解发生在第二阶段(110~530℃),第三阶段(530~800℃)主要完成芳环的降解或C—C键的断裂。废水原水DOM主要含有—OH,—NH2,CO等官能团,FTIR图谱证明了废水处理中后期高聚合度芳香族物质的存在,这是微生物新陈代谢作用的结果。DOM中烷基C含量先增加后减少,含量最大值(25.25%)出现在二级生化池;芳香C含量的最小值(28.28%)出现在二级生化池,而后迅速上升,暗示了废水处理过程含C官能团种类和数量的交替变化规律。对制革废水DOM性质的跟踪识别有助于从总体上推断污染物的净化机制。 相似文献
932.
扩散过程中弱相干光场的退相干 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了扩散过程中弱相干光场量子特性的演化.利用正规乘积、反正规乘积和Weyl编序算符内的积分技术,采用热纠缠态表象求解密度矩阵主方程,利用Kraus算符给出扩散过程中密度算符解的表达式,导出初态为弱相干态的量子态密度算符演化规律.讨论了扩散对光场压缩效应和反聚束效应的影响.结果表明:随着扩散过程的进行,弱相干场压缩深度和压缩范围均在减小;扩散初期光场呈反聚束效应,扩散时间大于一定值后反聚束效应消失. 相似文献
933.
对LD泵浦的掠入射板条放大器链系统激光介质的热效应进行研究。针对掠入射放大器结构建立了相应的热力学模型,对激光介质的温度场分布、热致波前畸变和热透镜效应进行了详细的理论分析。利用有限元分析软件COMSOL模拟了晶体内部的温度、应力及应变的分布情况,并进一步讨论了板条厚度、泵浦尺寸以及种子光入射角对光程差和热透镜造成的影响。结果表明,随着泵浦光斑尺寸和种子光入射角的增大,光程差变小,热透镜效应减弱;板条厚度对光程差和热透镜的影响较小。模拟计算结果对于预测板条热效应的强弱、热效应的补偿,以及放大器链结构参数的设计提供了依据。 相似文献
934.
935.
936.
研究了(Na0.5Bi0.5)TiO3,(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO3和(Na0.5Bi0.5)(1-x)SrxTiO3陶瓷的介电温谱,确认了该系列材料在520℃以下的高、低温两种介电反常和存在于这一温度区间的巨大热滞现象.发现该类材料只存在对应于低温介电反常的介电损耗峰,而对于高温介电峰则无对应的损耗峰.同时,常温时材料的结构特征对于其介电温谱的特征影响较小,但施加偏置场却可明显改变材料的介电温谱特征:1)可使得材料的热滞现象几乎消失;2)适当偏置场下材料升降温介电曲线可与零偏场下介电
关键词:
钛酸铋钠
热滞
相变
极性微区 相似文献
937.
938.
本运用Bayes决策理论研究指数分布和随机截尾试验的抽样接收方案的一般模型,我们证明了最优Bayes法则具有单调性,并对二个特殊的决策损失函数给出了最优Bayes法则和Bayes风险的具体表达式。 相似文献
939.
设计了一种适用于带状电子束高功率微波源的宽通带收集极,在有效吸收束-波相互作用后的带状电子束的同时,保证了带状电子束高功率微波源的工作模式矩形波导TM11模式高效率地通过。研究结果表明:在13~27 GHz范围内,功率传输效率大于95%,这一宽通带特性使得该类型的收集极与带状电子束高功率微波源能够更好配合,显著提高了微波源的模拟优化和实验调试效率;TM11模式微波的传输效率对收集极厚度和长度等参数不敏感;该类型收集极结构具有良好的散热能力,在不加外部水冷装置的条件下,仅靠空气自然对流冷却和辐射冷却,可以承受电流3 kA、电压300 kV、脉冲宽度30 ns及重复频率50 Hz带状电子束的连续冲击。 相似文献
940.
Highly oriented pyrolytic graphites are irradiated with 40.5-Me V and 67.7-Me V ^112Sn-ions in a wide range of fluences: 1×10^11 ions/cm^2–1×10^14ions/cm^2. Raman spectra in the region between 1200 cm^-1 and 3500cm^-1 show that the disorder induced by Sn-ions increases with ion fluence increasing. However, for the same fluence, the amount of disorder is greater for 40.5-Me V Sn-ions than that observed for 67.7-Me V Sn-ions, even though the latter has a slightly higher value for electronic energy loss. This is explained by the ion velocity effect. Importantly, ~ 3-cm^-1frequency shift toward lower wavenumber for the D band and ~ 6-cm^-1 shift toward lower wavenumber for the 2D band are observed at a fluence of 1×10^14 ions/cm^2, which is consistent with the scenario of radiation-induced strain. The strain formation is interpreted in the context of inelastic thermal spike model, and the change of the 2D band shape at high ion fluence is explained by the accumulation of stacking faults of the graphene layers activated by radiation-induced strain around ion tracks. Moreover,the hexagonal structure around the ion tracks is observed by scanning tunneling microscopy, which confirms that the strains near the ion tracks locally cause electronic decoupling of neighboring graphene layers. 相似文献