低速~(84)Kr~(15+,17+)离子轰击GaAs单晶

用345 keV的Kr15+和340 keV的Kr17+离子以45fi角入射n型GaAs单晶(100)面,测量了表面形貌的变化和发射的375—500 nm Ga I和Kr II的特征光谱线.Krq+(q=15,17)离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态q.离子沉积到靶表面的能量引起Ga原子激发,其辐射光谱为Ga I 403.2 nm和Ga I 417.0 nm.入射离子中性化过程中俘获GaAs导带电子形成高激发态原子,通过级联退激填充3p,4d等空穴,P壳层电子跃迁发射谱线为Kr II 410.0 nm,Kr II 430.4 nm,Kr II 434.0 nm和Kr II 486.0 nm,Kr II486.0 nm为较强谱线.实验结果表明,入射离子与GaAs单晶相互作用发射的可见光产额与入射离子的电荷态密切相关,较高电荷态Kr17+离子入射产生的光辐射产额大约为Kr15+离子的两倍.     

超核13C17O低激发态的研究

本文从唯象的Λ-α相互作用位和¹²C、¹⁶O的独立α粒子模型波函数出发,采用折迭位方法,求出了Λ-¹²C、Λ-¹⁶O等效相互作用位的解析表示,在此基础上计算了超核¹³C、¹⁷O的低激发态能量和自旋轨道耦合效应所引起的¹³C第一激发态的能级劈裂,并对Λ-¹²C、Λ-¹⁶O等效相互作用位和¹³C、¹⁷O的有关问题进行了分析和讨论.     

手征介子-夸克模型的低激发态共振

本文导出了手征介子-夸克Soliton的量子涨落方程,并计算了介子-Hedgehog重子的散射相移.我们发现:手征介子-夸克模型(CMQM)对涨落是稳定的,并有共振态出现,其共振宽度与实验值符合较好,但共振能量仅是实验值的一半.     

《发光学报》征稿简则

一、《发光学报》是中国物理学会发光分会主办的,以凝聚态物质中的激发态过程研究为专业方向的综合性学术刊物。它的任务是反映各学科间该专业研究领域的科研和技术成就,及时报道国内、外的学术动态,开展学术讨论和交流,提高从事各学科间该研究领域工作的专业人员的专业知识水平,为提高我国该学科的学术水平服务。     

核ANC和激发态中子晕

利用转移反应¹¹B(d,p)¹²B和¹²C(d,p)¹³C抽取¹²B<—>¹¹B+n和¹³C<—>¹²C+n重叠函数的核渐近归一化常数,计算了¹²B和¹³C核中价中子密度分布的均方根半径及其在核外的几率.实验结果表明,¹²B的第二(J^π=2^－),第三(J^π=1^－)激发态和13C的第一(J^π=1/2⁺)激发态为中子晕态,而¹³C的第三(J^π=5/2⁺)激发态是中子皮态.考察了库仑势和角动量对晕形成的阻碍效应.提出了均方根半径对于有效核子分离能的统一的标度定律.     

分子超激发态结构的理论研究:F2离子对解离效率谱研究

在量子数亏损理论框架下,利用多重散射自洽场方法和Feynman传播子算法研究了高分辨的F2分子超激发态结构;该超激发态能够解离为正负离子对F^＋（^3P2,1,0）＋F^-（^1S0）.理论分析能够清楚地标识其振动分辨谱,并很好地与实验测量符合.文章还阐述了发展分子超激发态结构研究的前景.     

PDT光敏剂HA在不同液相体系下的光谱特性研究

为了对候选光敏剂竹红菌甲素(HA)进行改性并保持其优异的敏化特性,对HA的光谱特性和激发态性质作了进一步的指认。系统研究了HA在不同液相体系下的吸收和荧光光谱,对指认HA的光谱和电子跃迁的机制提出了新的依据,结果表明,吸收带I产生于π-π*跃迁,吸收带Ⅱ和Ⅲ产生于P-π共轭所导致的L→aπ跃迁的电子振动结构;荧光发射带I和Ⅱ是产生于同一跃迁机制S1(L,aπ)→S0的正常荧光的振动结构。     

B_2分子X~3Σ_g~-和A~3Σ_u~-态的势能函数

使用SAC/SAC-CI方法,利用D95(d),6-311g**以及cc-PVTZ等基组,对B2分子的基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过对3个基组的计算结果的比较,得出了D95(d)基组为3个基组中的最优基组的结论;使用D95(d)基组,利用SAC的GSUM(Group Sum of Operators)方法对基态(X3Σg-),SAC-CI的GSUM方法对激发态(A3Σu-)进行单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了相应电子态的完整势能函数;从得到的势能函数计算了与基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),结果与实验数据吻合.