对向靶溅射α″-Fe_(16)N_2薄膜结构及其热稳定性

用对向靶反应溅射法制备了α″- Fe1 6 N2 薄膜 ,用 X射线衍射 (XRD)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计 (VSM)对α″- Fe1 6 N2 的结构、磁性以及结构的热稳定性进行了分析讨论 .结果表明 ,随退火温度的升高 ,α″- Fe1 6 N2 相逐渐分解为 α″- Fe和 γ′- Fe4N两相 .对磁性的分析表明 ,造成饱和磁化强度存在较大差异的原因与其内在的结构差别有很大的关系 .     

Multilayers with high-reflectivity at 19.5 nm and low-reflectivity at 30.4 nm

The multilayer （ML） mirror with high-reflectivity （HR） at a specific emission line of 19.5 nm （Fe line） and low-reflectivity （LR） at 30.4 nm （He line） is needed to be designed and fabricated for observing the image of sun. Based on a variety of optimizations utilized different structures, the design is performed and the final results demonstrate that the reflectivity at 30.4 nm does not achieve minimum value when the reflectivity at 19.5 nm reaches the maximum value. The tradeoff should be done between the HR at 19.5 nm and LR at 30.4 nm. One optimized mirror is fabricated by direct current magnetron sputtering and characterized by grazing-incident X-ray diffraction （XRD） and synchrotron radiation （SR）. The experimental results demonstrate that the ML achieves the reflectivity of 33.3% at 19.5 nm and of 9.6× 10-4 at 30.4 nm at the incident angle of 13°.     

粉末溅射SnO2:Pt薄膜及SnO2/SnO2:Pt薄膜电导在CO中的振荡现象

采用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .这两种薄膜材料不仅对CO气体有很高的灵敏度 ,良好的选择性和较低的工作温度 ,而且其电导在CO气体中均出现了振荡现象 .本文分析了电导振荡温区、振幅和频率与CO气体浓度及膜厚的关系 ,介绍了其振荡特性并对有关问题进行了讨论     

Trapping of Neutral^87Rb Atoms on an Atomchip

We report an experiment of trapping of neutral ^87Rb atoms on a self-made atomchip. The H-shaped atomchip is made by magnetron sputtering technology, which is different from the atomchip technology of other teams. We collect 3×10^6 ^87Rb atoms in the mirror magneto-optical trap （MOT） using the external MOT coils, and 1×10^5 ^87 Rb atoms are transferred to U-MOT using U-shaped wire in chip and a pair of bias coils.     

Ni—50wt%Ti合金的择优溅射

用卢瑟福散射技术测定了Ｎｉ－５００ｗｔ％Ｔｉ合金在３０ｋｅＶ Ａｒ＾＋离子轰击时的组分原子溅射角分析。结果表明，Ｎｉ原子和Ｔｉ原子的角分布存在差别；Ｎｉ原子在靶表面法线方向择优发射，而Ｔｉ原子则在大发射角区域发射较Ｎｉ强。根据元素在靶点表面按形貌特征局域富集情况的观测，对实验结果进行了讨论。     

基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响

采用离子束溅法，在单晶Si（100）基片上制备CNx薄膜。研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响。结果表明：随着基片温度的提高，薄膜生长致密，表面光滑；薄膜硬度逐渐提高，但温度升高到200℃后，硬度增加缓慢。同时，基片温度升高使薄膜中的N含量增加，促进C－N化合物结晶。X射线衍射结果证明在850℃时，薄膜中产生α－C3N4晶相。     

辉光放电阴极溅射,瞬变原子化／原子吸收光谱分析性能的研究（Ⅱ）

通过一些元素的测定，进一步研究了辉光放电阴极溅射、瞬变原子化／原子吸收光谱分析技术的如下分析性能：不同Ａｒ气压力下放电电流与放电电压的关系；放电电流、放电功率分别与吸光度的关系；石墨阴极空穴溅射时间对元素分析灵敏度的影响；分析校正曲线的线性范围：基体干扰等。试验表明；增加放电功率是提高分析灵敏度的关键；采用峰面积吸光度方式将大大扩展一些元素分析校正曲线的线性范围。     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：     

双离子束溅射淀积DLC膜的红外特性

用双离子束溅射法在50℃以下的玻璃基片上淀积了类金刚石碳(DLC)膜.研究了轰击离子能量、轰击离子束流密度及轰击源内氢/氩流量比例对淀积片红外透射特性的影响.所用波段是1.5～5.5μm.结果表明,对所有淀积样片,其相对透过率均随波长增长而增大.在每组实验中,随如上各可变参量的增大,各样片的相对透过率～波长曲线均有先上升后下降的规律.确定了各组相应的临界参数.结果还表明,轰击源不含氢并不影响DLC膜的制取,但轰击源合氢时所制得的膜具有更好的红外透射性.从结构变化的角度解释了上述规律.     

γ—Fe2O3溅射磁膜的制作

用溅射技术制作γ－Fe2O3磁性薄膜，并通过透射电子显微镜观察磁性薄膜的电子显微像和选区电子衍射环，进行了γ－Fe2O3晶体结构分析，讨论了多晶薄膜的生长条件。