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51.
52.
在所有电极过程中研究最多的是析氢反应,其重要性一直为化学界所关注。提高电极活性的各种方法中,普遍采用电沉积法,它价廉简便、效果明显。但涂层不够牢固,在使用过程中易脱落,使用寿命短。为了克服上述缺点,作者将电沉积和离子注入技术联合使用,即在Ni、W镀层上注入Mo离子,利用Mo离子的能量将Ni、W打入表面内层,进行离子束混合。这既 相似文献
53.
采用电沉积-热解法在3Cr25Ni7N合金表面制备了Y2O3薄膜,并研究了薄膜处理对合金在1000℃空气中的抗高温氧化性能的影响。氧化动力学曲线、SEM及XRD分析结果表明,Y2O3薄膜处理使合金表面氧化膜以尖晶石结构为主,氧化膜致密,有效地抑制了Cr2O3的挥发反应,且氧化膜与基体的附着性好,因此合金在高温下的抗氧化性能得到提高,这与氧化钇薄膜在较低温度下抗高温氧化性能提高的机制是不同的。在不同温度下,Y2O3薄膜处理均可以有效提高合金的抗高温氧化性能。 相似文献
54.
铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究 总被引:3,自引:1,他引:3
用自制的电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)现场研究Cu在HOPG上的电沉积过程.结果表明Cu在HOPG上的电沉积为三维成核的过程.当电位较低或Cu2+离子浓度较低时,铜在本体金属生长主要沿着台阶方向.过电位较高时,铜的成核数目增加,沉积层的晶粒有所细化.同时,非现场ECSTM比较研究表明,STM针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用,针尖所在区域Cu的沉积速度比其它区域明显减小 相似文献
55.
烟酸对酸性硫酸盐体系铜电沉积的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
对溶液A: 0.8 mol•L-1硫酸铜,0.6 mol•L-1硫酸,5.0×10-5 mol•L-1氯离子,1.0×10-4 mol•L-1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10-2 mol•L-1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极上铜的电沉积行为.结果表明,铜的电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.烟酸的加入对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.沉积层的X射线衍射表明Cu为面心立方结构,在烟酸存在下沉积层出现(220)高择优取向,这可能是烟酸在Cu(220)晶面上发生强烈吸附作用的结果. 相似文献
56.
NdOx作为助催化剂对PtRu/C电催化氧化甲醇活性的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
采用沉积-还原法制备了PtRu-NdOx/C催化剂, 借助TEM、EDS和XRD等测试手段对其进行了微结构和组成的表征. 结果表明, 催化剂中Pt与Ru以合金形式存在, 而Nd的氧化物则以无定形形态存在. 催化剂粒子的平均粒径在2 nm左右, 晶胞参数为0.3896 nm, Nd氧化物的加入对PtRu合金的晶体结构影响不明显. 采用循环伏安法和计时电流法, 比较了PtRu-NdOx/C催化剂和PtRu /C催化剂对甲醇氧化的电催化活性, 结果表明, 加入Nd的氧化物作为助催化剂能明显提高PtRu /C催化剂对甲醇氧化的电催化性能. 相似文献
57.
现场表面拉曼光谱研究Fe-Mo合金诱导共沉积 总被引:1,自引:0,他引:1
现场表面拉曼光谱结果显示,在0.2mol·L-1Na2MoO4,pH=4.0的溶液中,电位正于0.5V(vsSCE)时只观察到多钼酸盐的拉曼峰(940、880和450cm-1).负于-0.5V时,出现中心位于730cm-1的宽峰.同时电极表面有蓝色膜生成.表明混合氧化态(MO(Ⅳ),MO(Ⅴ))氧化膜的形成.730cm-1的峰在-1.9V时仍然存在,说明氧化膜没有被进一步还原.在钼酸钠溶液中同时含有0.1mol·L-1FeSO4和0.2mol·L-1柠檬酸时,中间态氧化膜的拉曼峰的中心移到740cm-1.且峰强度随着电位从-1.3V负移到-1.9V而逐渐减弱并最终消失.电极表面沉积层呈银白色,说明由于Fe2 的存在,钼的中间态氧化膜的结构发生了变化,能够被进一步还原形成Fe-Mo合金,表现出诱导共沉积的特征. 相似文献
58.
59.
p—Si上电沉积Ni—W—P薄膜的结构与热稳定性 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了p-Si上恒电流沉积Ni-W-P合金薄膜组成与结构的关系,讨论了镀层的组成、结构随沉积时间的变化.测定了非晶合金的晶体结构随热处理温度的改变以及DTA曲线,结果表明,非晶Ni-W-P合金在晶化过程中形成两个纳米超微晶相,非晶Ni-W-P薄膜的热稳定性远高于通常使用的非晶Ni-P薄膜. 相似文献
60.
Introduction Inorganic oxide films have attracted a lot of interest in the last several decades. Among them, silicon dioxide films are widely used in modern microelectronics, optics and mechanics. This material has been grown by various methods including thermal oxidation, chemical vapor phase deposition, plasma-enhanced chemical vapor phase deposition, and so on.1,2 Recently, Nagayama et al.3 have reported that SiO2 thin films could be produced by a new chemical method of liquid phase depos… 相似文献