一些高Tc超导体的弹性性质

 本文用超声相比较方法测定了高T_c超导体La_1.85Sr_0.15CuO₄，La₂CuO₄和YBa₂Cu₃O₇的纵波和横波声速，进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La_1.85Sr_0.15CuO₄样品上，还进行了压力实验，发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热c_V和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。     

水溶液中合成羟基磷灰石的实验研究

羟基磷灰石是一种生物活性陶瓷材料 ,为目前齿科和骨科所喜用的替代材料。本文在热力学基础上 ,采用中和反应和复反应制备HA ,并分析讨论温度、PH值、加料方式、加料速率及超声波等因素对合成HA的影响。制得样品均用化学分析法测定Ca P值 ,部分采用X射线衍射法 (XRD)和电镜照相 (SEM)来鉴定样品HA的纯度     

芳烃回收塔温度压力补偿控制系统的研究与实施

介绍了一种用温度，压力补偿的方法进行间接测量，实现对芳烃抽提单元回收塔溶剂水含量的组份控制。由于在回收塔上，水含量一定，温度，压力成正比，控制温度，压力成比例变化，就能控制水含量稳定。     

夫兰克─赫兹实验中温度的选择

本文讨论了气体击穿、空间电行与温度的关系，给出了测定原子第一激发电位和电离电位曲线时选择温度应遵循的规律．     

关于理想气体任意准静态直线过程的最高温度点与吸放热转折点

讨论理想气体任意准静态直线过程吸热放热问题时，关键是如何确定过程中吸放热转折点的位置．阐述了最高温度点与吸放热转折点并不重合的原因，并给出了确定最高温度点和吸放热转折点的方法．     

荧光光纤温度传感器激励光源的选择

本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0～200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70～0.76μm之间选择。     

葡萄冬季简易贮藏保鲜技术

<正> 我国栽培葡萄已有2000多年的历史,在这漫长的过程中,广大的果农,不仅创造了丰富的栽培经验,也积累了不少冬季简易贮藏保鲜技术。近几年来葡萄栽培面积迅速扩大,产量成倍的增长,各地运用气调冷藏和机械冷藏等先进的设备,大批量地贮存葡萄鲜果已普遍。为了提高广大果农的经济利益和节约消费者的开支,提倡和推广葡萄简易贮藏保鲜技术,仍显得十分必要。     

数显温控精确测量金属丝的温度系数

在传统金属导体温度系数测量中对于金属丝的加热通常采用了水浴加热法或油浸加热法。这两种方法存在着短路、产生不良气体污染、温度测量不精确等缺点。首次使用了数显温度可控的功率电阻作为金属丝的加热源,在测量中采用了双臂电桥、金属丝的四端电阻接线方式,不仅实现了金属丝的温度可控性和实时测量性,而且将测量精度提高到3%以内。     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型