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102.
庞小峰 《原子与分子物理学报》2002,19(3):319-326
ATP水解作用所释放的能量能引起蛋白质分子中额外电子的激发,其激发与氨基酸残基晶格畸变相互作用,使额外电子自陷成孤子,这孤子在附着有供体(D)和受体(A)的蛋白质分子中运动时,由于孤子与供体电子的相互作用而"自局域"在孤子上进行迁移,从而可把电子供给受体.使用作者提出的孤子理论研究了这种迁移的特征,计算了在这种非平衡态过程中由孤子迁移电子的速率和动能系数,得到了一些有趣的结果,揭示了这种迁移的本质,求得了迁移的大小. 相似文献
103.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
104.
105.
小型录音室的建筑声学设计的讨论 总被引:1,自引:0,他引:1
本主要从小型语言录音室建筑结构出发,分析材料与声学规律的关系,从而建议设计实施经济合理、符合声学条件的小型录音室。 相似文献
106.
107.
强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。 相似文献
108.
考虑了热电制冷循环中热阻、热漏和焦耳热等主要不可逆性,引入了特征参量功率消耗比r,借助装置设计参量X表征了内、外不可逆性,利用有限时间热力学建立了制冷功率、制冷系数与特征参量之间的基本优化关系,导出了协调制冷功率与制冷系数的参量r、X以及电流I的优化准则。 相似文献
109.
用力敏传感器测量液体表面张力系数 总被引:14,自引:3,他引:14
利用力敏传感器测量液体表面张力系数,既改进了传统的实验方法和仪器,提高了实验的准确度和稳定性,同时因实现了非电量电测,也有助于测量过程中学生对物理过程的观察和规律的理解。 相似文献
110.