Ferroelectric Properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 Thin Films Crystallized inDifferent N2/O2 Ambients

Bi3.25La0.75 Ti3O12 （BLT） ferroelectric thin films are deposited by sol-gel method and annealed for crystallizaion in total l eccm N2/02 mixed gas with various ratio at 750℃ for 30rain. The effect of crystallization ambient on the structural and ferroelectric properties of the BLT films is studied. The growth direction and grain size of BLT film are revealed to affect ferroeleetric properties. Alter the BLT film is annealed in 20%O2, the largest P~ value is obtained, which is ascribed to an increase of random orientation and large grain size. The fatigue property is improved with the concentration of oxygen in the ambient increasing, which is ascribed to annealing in the ambient with high concentrated oxygen adequately decreasing the defects related to lack of oxygen.     

烷烃混合气体的太赫兹光谱分析

太赫兹时域光谱技术(THz-TDS)是近十多年发展起来的一种新的远红外光谱技术,在气体研究方面有了一定进展,尤其是对极性气体,而对非极性气体研究较少。本文以干馏气、天然气以及各种沼气的主要成分CH₄, C₂H₆和C₃H₈气体(非极性气体)为研究对象,首先对CH₄,C₂H₆和C₃H₈三种纯气进行测量,利用THz-TDS技术得到其太赫兹频域谱和相位谱,然后将其以不同比例、不同种类混合成二元气体,进一步研究混合气体的频域谱和相位谱。实验结果表明CH₄,C₂H₆对太赫兹波的吸收很小而C₃H₈对太赫兹波有一定的吸收,这与C₃H₈极性增强的物理特性相符合。为了实现对烷烃混合气体的压强和各成分浓度的定量分析,本文利用BP人工神经网络法对上述二元混合体系的太赫兹频域谱进行分析,对训练集和预测集分别计算了混合气体的压强和各成分浓度的预测值与实际值的相关系数,训练集和预测集的相关系数取值分别为0.994～0.999和0.981～0.993。研究表明,利用太赫兹时域光谱技术结合BP人工神经网络数学方法可以实现对烷烃混合气体的压强和各成分浓度的定量分析,使THz-TDS技术在气体领域研究范围更加广阔。     

N2/CO2混合气体对甲烷爆炸的影响

将N2和CO2按一定比例混合,从极限氧体积分数、爆炸极限和抑爆效果3个方面研究了N2/CO2 混合气体对甲烷爆炸的影响。结果表明:(1)随着惰性混合气中N2含量的增加,极限氧体积分数呈线性下降; (2)任何配比的惰性混合气对爆炸上、下限的影响都可以近似认为是线性变化的;(3)惰性混合气中CO2含量 越高,抑爆效果越好。同时,得到的拟合公式能预测N2和CO2任何配比时甲烷的爆炸极限。实验结果能对甲 烷实际生产时的惰化处理提供基础数据和依据。     

氢氯混合气体光照爆炸实验和氢氧化亚铁制备实验的再改进

对文献报道的氢氯混合气体光照爆炸实验和氢氧化亚铁制备实验的实验设计进行了探讨,优化了实验设计,使实验更易准备,更易操作,更易成功。     

氢氯混合气体光照爆炸实验的创新设计

1实验准备如图1,取一口径2 cm、高度20 cm的支管试管,向试管中加入0.2 g粉末状KMnO4固体,把吸入1.5 mL浓盐酸的弯成直角状的胶头滴管通过橡胶管连接到支管上,用装有0.3 g细小Zn粒的大小合适的小气球封住试管的管口(小气球不充气装     

Growth of n-type ZnO thin films by using mixture gas of hydrogen and argon

High-quality oxide semiconductor ZnO thin films were prepared on single-crystal sapphire and LaAlOZnO薄膜 氩氢混合气体 薄膜生长 异质结构 薄膜物理学ZnO, PLD, heterostructureProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 19974001) and the National Key Basic Research Special Foundation of China (Grant No NKBRSF G1999064604 and G2000036505).2005-05-309/3/2005 12:00:00 AMHigh-quality oxide semiconductor ZnO thin films were prepared on single-crystal sapphire and baAlO3 substrates by pulsed laser deposition （PLD） in the mixture gas of hydrogen and argon. Low resistivity n-type ZnO thin films with smoother surface were achieved by deposition at 600℃ in 1Pa of the mixture gas. in addition, ferromagnetism was observed in Co-doped ZnO thin films and rectification Ⅰ - Ⅴ curves were found in p-GaN/n-ZnO and p-CdTe/n-ZnO heterostructure junctions. The results indicated that using mixture gas of hydrogen and argon in PLD technique was a flexible method for depositing high-quality n-type oxide semiconductor films, especially for the multilayer thin film devices.     

混合气体组合放电清洗在HL—1装置上的实验研究

在HL-1装置上进行混合气体H_2+H_e,H_2+N_e,H_2+K_r和N_2+X_e交流(50Hz)放电锻炼孔栏(1/8石墨,7/8钼)和GH39不锈钢真空室表面,其清洗效果明显地好于通常低功率纯氢气放电清洗(TDC,GDC和ECR-DC),并能有效地降低裸金属和碳化器壁表面氢气体库贮量,有利于托卡马克放电氢再循环控制,为高密度和低q放电提供了洁净的器壁和环境。上述混合气体交流放电结合2.45GHz电子回旋共振(ECR)放电,取得了更好的清洗效果。本文对这种高效、快速清洗方法的机制作了简单分析。     

确定O_2中真实η的新方法

本文研究了0_2-CO_2混合气体中的放电过程,特别是电子吸附过程,提出了确定纯氧气真实电子吸附系数η的简便而有效的新方法.     

混合制冷剂气体水合物生成及融解过程实验研究

1引言城市建筑物中，空调作为最大用电设备之一，夏季占建筑物耗电总量的一半以上，为了缓解高峰用电负荷并有效利用低谷电力，解决峰期用电紧张的矛盾，达到总体节能的目的，空调蓄冷移峰节电技术被认为是实现城市供电平衡和建筑节能的重要手段。作为实用的空调蓄冷技术，最为重要的是其蓄冷材料的相变温度与空调工况相适应，即在5～12℃发生相变，且相变潜热大，传热性能好．氟里昂气体水合物作为蓄冷材料，具有适合空调储冷的理想性质，可使水在8～12℃水合结晶，形成暖冰时释放反应热，其反应热与结冰潜热相当[1]。然而，由于一些氟里昂…     

顺抗磁性混合气体在梯度磁场中流动的蒙特卡罗直接模拟

以氧气和氮气的混合气体为研究对象,运用蒙特卡罗直接模拟方法模拟了顺抗磁性混合气体在高梯度磁场中的流动情况,并把模拟计算结果与已有的实验结果之间进行了对比分析. 模拟结果表明:磁场强度与梯度乘积由100T2·m-1增加到1000T2·m-1时,氧体积分数增量由0.12%增加到1.89%;混合气体温度由283K升高到333K时,氧体积分数增量由0.4%减小到0.1%;混合气体中氧气的初始体积分数由20%增加到30%时,氧体积分数增量由0.12%增加到0.59%;压力的变化对氧体积分数的变化几乎没有影响.