介观电容耦合LC电路在有限温度下的能量及热效应

由正则量子化方法导出了介观电容耦合LC电路体系的哈密顿算符, 利用幺正变换使哈密顿算符对角化. 用系综理论给出了体系的平均能量及其涨落, 在此基础上, 借助于广义Hellmann-Feynman定理, 讨论了有限温度下电路体系中电荷与自感磁通的量子涨落. 结果表明, 体系中电荷与自感磁通的量子涨落不仅与电路元件参数有关, 而且还与温度有关. 关键词： 介观电路 量子涨落 广义Hellmann-Feynman定理 有限温度     

DNA在熵受限管道中穿越过程的计算机模拟

利用Metropolis Monte-Carlo动力学方法结合键长涨落算法，模拟了单链DNA分子在电场作用下穿越熵受限管道的动力学过程.结果表明，DNA分子穿越管道时将经历无规迁移、受限迁移及快速迁移等几个显著不同的阶段.平均迁移率随外场增加而增大并最终达到饱和值μ0，受限时间的对数与所加场强的倒数之间基本满足线性关系.模拟结果不仅与文献所给的实验结果基本一致，而且还可以提供实验不能直接观察到的DNA分子较为详细的穿越过程.     

高温超导体中的赝隙与超导位相涨落

高温超导体赝隙态与超导态之间的关系一直是研究的焦点.交流电导和能斯特（Nernst）效应测量相继探测到超导转变温度Tc0以上温区一定范围内存在磁通涡旋激发,利用力矩技术的磁化率测量则探测到超导涨落引起的弱抗磁性.这些发现都支持了高温超导体赝隙相中存在有限的超导序参量振幅和强烈的位相涨落的图像,说明Tc0处的相变是由库珀对之间长程位相关联的消失所驱动的.文章首先简短地介绍高温超导体的电子态相图和赝隙态,以及能斯特效应的原理和测量方法,然后对能斯特效应的测量结果作一评述性介绍,还讨论了相关的理论模型.     

相对论等离体涨落的关联效应

等离子体集体涨落是对许多现象进行物理分析的理论基础，本文在相对论ＢＢＧＫＹ关联动力论基础上，建立了计算相对论等离子体集体涨落的基本公式。     

半导体中光电流的涨落

本文目的是讨论半导体层内光电子扩散运动时的涨落,求出扩散时间和半导层厚度的关系,(1)半导体的光电导和光生电动势现象中,都有光量子被半导体吸收后而产生光电子的过程。每秒内产生的光电子对(电子和空穴)的数目与吸收的光量子数成比例。因为透过半导体层的光强度随透过厚度而减衰,故半导体中各层内产生的光电子数目不同,也就是说,光电子浓度     

盘状液晶的枝蔓化、特征及时间演化

本文研究了盘状液晶RHO的枝蔓化、生长特征及时间演化,实验表明,RHO液晶的枝蔓化结构对于表面处理、液膜厚度及衬底材料的影响是敏感的,枝蔓结构的尖端速度在连续冷却的条件下保持常数,尖端速度对于过冷率的函数关系是线性的,针对实验和目前简化理论的歧离,我们指出,在远离平衡的条件下和连续冷却的过程中,热涨落和维度性在枝蔓化中起着重要的、不可忽略的作用。     

论广义力的涨落

应用系统理论和准热力学方法，计算了气体压强和电介质极化强度的涨落。结果表明，这两个量在正则系统和巨正则系统的涨落均在数值上的差异，准热力学方法对气体压强的涨落给出的结果和巨正则系综相同，对电介质极化强度的涨落所得结果则和正则系缩相同，文中阐明了这些结果异同的原因。     

NA27数据事例空间的涨落分析

利用单事例阶乘矩方法计算了NA27数据的事例空间矩C_p,q(M).与纯统计涨落的蒙特卡罗事例样本的计算结果比较,表明C_p,q(M)随M的变化主要由统计涨落引起的.对NA27数据的赝快度间隔作不稳定性分析,计算了类熵量S_q和Σ_q,两者都显著地偏离于1.S_q和Σ_q随q的变化呈指数关系.FRITIOF模拟能重现此标度行为,但数值偏离较大.