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31.
32.
研究了裂变系统在宽脉冲外中子源注入驱动下裂变链统计涨落问题.提出了概率分布Wn方程的分解-合成数值模拟计算方法,使裂变系统注入中子源数值模拟计算扩展到一般广义条件(具有任意时间分布、注入时间零点t0概率分布函数P(t0)和数概率分布S(n)等).同时讨论了应用物理模型的等效条件.将基本前提等效条件从单介质区模型扩展到多介质区模型.为解概率分布Wn方程必备参数提供了计算平均公式. 相似文献
33.
发展了一种有源RLC电路的量子力学处理方案,在此基础上研究了压缩真空态下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落,着重研究了电阻和压缩参数对量子涨落的影响.
关键词: 相似文献
34.
应用电磁线路中涨落耗散理论,推导了不同温度均匀二半空间接触后产生辐射场密度的公式。将此公式近似展开后,即得Grover和Urtiew所获得的表示式,不过多了一松弛项,该项如用非富里叶热传导理论推导,也是存在的。该结果和实验结果一致,不过这里的松驰时间可以应用介质性质进行计算。 相似文献
35.
36.
37.
建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.
关键词:
自旋电子学
稀磁半导体
自发涨落谱 相似文献
38.
本文从处理湍流场的普遍方法──“任一物理量都可分解成平均值与涨落值之和”出发,利用量纲估计和磁流体力学湍流近似对磁流体力学基本方程进行讨论,得出有关磁流体力学湍流场的一些结论.这些结论对研究目前阶段的磁流体力学湍流理论是很有用的。 相似文献
39.
在反应体质心系中,依据热化模型并考虑碰撞参量的涨落及核阻止性,对工作在BNL/AGS上E-802合作组给出的中心和周边Si与Au、Cu和Al相互作用的强子快度分布进行了分析和讨论. 相似文献