阴极还原处理对多孔硅发光性能的影响

对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试.实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定.利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强.     

金属在福州地热水中的腐蚀热力学研究──(I)、铜—地热水系统

作者从热力学角度以电位－ｐＨ图探讨金属在福州地热水中的腐蚀趋势．本文报导铜－地热水系统，采用ＢＡＳＩＣ语言编制程序在ＡＰＰＬＥ－Ⅱ微机上计算高温热力学数据，并以ＤＸＹ－８００绘图仪绘制电位－ｐＨ图．同时，测定了铜在福州Ｇｗ２井地热水中的实际腐蚀电位．结果表明：在此地热水中，当温度低于３１８Ｋ，铜表面生成Ｃｕ２Ｏ膜，高于３１８Ｋ，生成ＣｕＯ膜，二者都位于钝化区．     

排岭大桥钻孔灌注桩施工中的事故及处理方法

本文结合东线公路博鳌排岭大桥钻孔灌注桩的实践,介绍施工过程的一些事故处理,为桥梁钻孔灌注桩施工提供一些有益的参考。     

从依法管理视角看大学生违纪处理

学生管理是高等院校教育人、培养人的重要途径和手段,对于培养社会主义事业合格者和可靠接班人具有重要意义.学生管理依法进行,是国家依法治国方略在学校管理中的体现.在对违纪学生进行处理时,也应体现依法管理原则,做到于法有据、处理有度、操作有序、执行有分.     

具有消息恢复的数字签名方案的一个注记

对具有消息恢复的数字签名方案提出了两种攻击方法.此外,对原方案进行了改进,通过对改进方案的安全性分析得出结论:改进方案比原方案更安全,并且消息恢复过程只需要计算一次大数模幂乘和两次单向函数.     

二维欧拉多介质流体力学数值模拟-TVD＋VOF方法

用TVD格式结合VOF界面处理方法编制了二维多介质高分辨欧拉程序，以解决冲击波和多介质界面处理。程序包括单介质网格高精度流体力学计算、多介质网格内界面重构、各种介质输运和压力驰豫平衡过程。其中单介质网格的计算采用Harten二阶TVD格式结合MacCormark方法计算含有源项的非齐次守恒定律方程组，通过4节点限制函数保证格式单调。多介质网格采用Youngs方法构造界面，采用x，y方向分裂格式计算体积份额输运，再根据体积份额输运计算质量、动量和能量的输运，最后利用等熵条件计算各种介质的压力驰豫平衡过程。     

高功率固体激光器光学元件位相误差滤波

不同频段的位相误差对输出光束将产生不同的影响，低频段主要影响远场焦斑主斑的能量分布，中高频段影响光的散射或者可能出现的较大的强度峰值调制，高频段影响光的散射，导致能量的损失。研究光学元件引入的位相误差与输出光束之间的定性、定量关系，首先必须对位相误差进行相应的滤波处理，反映光学元件面形的细微误差。     

用反射法自动测量大尺寸样品的折射率分布

针对大尺寸样品的折射率分布测量,引入自动扫描装置和适时数据处理系统,研究出一种高灵敏度的智能化反射法折射率分布测量仪,可进行快速、自动、准确的折射率分布测量.经理论分析和实验研究提出了一套合理的实验数据处理方法.并具体介绍和详尽分析了实验装置,讨论了有关理论和实验误差,给出了消除各种误差的有效方法,最终得出较为理想的实验结果.     

离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层.利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式.结果表明，Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2结构相.真空下的红外光辐照处理促使YSi2择优取向生长，埋层中Si与Y的平均原子浓度比由24下降为20，与六方YSi2的化学计量比一致.还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱.     

Numerical Calculation and Analysis of Track Etching Process

Heavy ion irradiated polymers can be chemically etched to form track membrane with pores in the micro and sub-micro ranges. It has been reported that pore growth during etching can be related to track structures. A latent track has a track core inside and a track halo surrounding the track core. By single track etching it is observed that etching in the track core is much faster than in the track halo where the etching rate is even lower tlian that of bulk material. For multi-track etching, no such stages can be seen by the conductance measurements.