镁合金表面热喷涂WC-10Co-4Cr粒子沉积及分布特性

为了探究高速空气燃料热喷涂（AC-HVAF）过程中喷涂粒子撞击基材后的沉积特性。采用AC-HVAF热喷涂技术在AZ80镁合金基体上沉积WC-10Co-4Cr硬质涂层。通过离散沉积实验获得薄层沉积粒子,探讨各种沉积形貌的种类、形成原因、结合机制及射流中粒子的径向和轴向分布。结果表明：在AC-HVAF粒子沉积过程中,嵌入型沉积为主要的沉积形貌,同时包含少量的破碎型与空腔型沉积粒子。在涂层的形成过程中,嵌入型沉积对涂层/基体结合性能起重要作用;空腔型沉积的小颗粒及破碎型沉积的大颗粒是造成沉积效率下降的主要原因。喷涂粒子主要集中在射流中心,越靠近射流边缘,空腔型沉积粒子越多,最终导致AC-HVAF粒子射流呈现出空间分布特征。     

电化学原子层外延及Te,CD元素欠电势沉积研究

阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法－电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ）并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论,着重研究了Ⅱ,Ⅳ族元素Ｃｄ,Ｔｅ的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Ｔｅ和Ｃｄ在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值,由此确定了在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ,Ｃｄ原子层的方法,在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用ＡＦＭ与Ａ     

电沉积SiC颗粒增强抗磨复合材料

采用电刷镀技术制取Ｎｉ－Ｗ－Ｃｏ／ＳｉＣ颗粒增强抗磨复合材料,分析了ＳｉＣ颗粒沉积量的影响因素,并研究了复合材料的磨损特性,实验结果表明,复合材料具有较高的硬度和耐磨性。     

对电子束蒸发沉积的ZnO：Al膜电学性能的研究

使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。     

锑—铁合金电沉积的研究：Ⅱ.方波电位法的应用

利用方波电位法在合金镀液中电沉积锑和锑合金的复合镀层,并用扫描电镜进行镀层的综合性能检测。实验结果表明,在合适的电镀参数下可以镀层结合力好,晶粒细致紧密,光亮平滑,具有中等硬度和一定厚度的复合镀层。     

MnO2和PbO2共沉积电极的阳极行为

探讨了ＭｎＯ２和ＰｂＯ２共沉积电极在硫酸介质中的阳极析氧行为,发现当锰与铅的原子比约为７．１：１。该电极以表面锰原子为析氧活性中心,共沉积的铅对的析氧性能基本无影响。     

高取向KTN薄膜的PLD法制备研究

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法自制了ＫＴＮ陶瓷,以之为靶材,首次在单晶硅上用ＰＬＤ技术沉积了ＫＴＮ薄膜。     

普鲁士蓝薄膜的电积法制备及其化学组成

在金属和石墨基底电极上用恒电位沉积法制备出普鲁士蓝(PB)薄膜,研究了影响膜生长的多种因素;观察到PB膜的电化学活性。用红外光谱及电子能谱对膜的化学组成作了分析,结果表明,最初制备的膜为不溶性PB:Fe_4[Fe(CN)_6]_3,在含K~+的电解质溶液中经电化学反应后膜部分转变为可溶性PB:KFeFe(CN)_6,由此确定了PB膜的电化学反应式。     

Amperometric Determination of lndole-3-acetic Acid Based on Platinum Nanowires and Carbon Nanotubes

Platinum nanowire （PtNW） can be grown by electrodeposition in polycarbonate membrane, with the average diameter of the nanowires about 250 nm. The PtNW and multiwalled carbon nanotubes （CNT） are then dispersed into chitosan （CHIT） solution. The resulting PtNW-CNT-CHIT material brings new capabilities for electrochemical devices by using the synergistic action of the electrocatalytic activity of PtNW and CNT. By dropping the PtNW-CNT-CHIT film onto the glassy carbon （GO） electrode surface, and after evaporation an amperometric sensor for the determination of indole-3-acetic acid （IAA） was developed. The oxidation current of IAA increased significantly at the PtNW-CNT-CHIT film coated GC electrode, in contrast to that at the CNT-CHIT modified GC. The linear response of the sensor is from 50 ng/ml to 50 μg/ml with a detection limit of 25 ng/mL.     

Zn-Fe-SiO2复合镀层的制备工艺及其耐蚀性研究

在酸性硫酸盐体系中电沉积制备了Zn-Fe-SiO2复合镀层,并研究了工艺因素对镀层SiO2含量的影响.随着电流密度由4.8A/dm2增加到6A/dm2时,镀层中SiO2的含量由0.21%上升到0.47%,但是当电流密度继续增加到7.2A/dm2时,SiO2含量反而下降到了0.18%.当镀液中SiO2浓度由20g/L增加到60g/L时,镀层中SiO2含量由0.40%上升到0.51%.当镀液pH值由2增加到4时,镀层中SiO2含量由0.22%上升到1.17%.采用5%NaCl溶液浸泡试验考察了Zn镀层、Zn-Fe合金镀层与Zn-Fe-SiO2复合镀层的耐蚀性,并研究了镀层中SiO2含量对镀层耐蚀性的影响.结果表明,Zn-Fe-SiO2复合镀层无需钝化处理,其耐蚀性优于Zn镀层及Zn-Fe合金镀层,并且镀层的耐蚀性随着镀层中SiO2含量增大而提高.