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51.
用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难. 相似文献
52.
混合气体介质阻挡放电中的电子激发温度 总被引:1,自引:0,他引:1
采用光谱法,研究大气压下氩气/空气介质阻挡放电中电子激发温度随空气含量的变化.放电装置为水电极介质阻挡放电装置,通过氩原子763.51nm(2P6→1S5)和772.42nm(2P2→1S3)两条谱线相对强度之比计算电子激发温度.实验结果表明:当空气的体积分数为10%~60%时,电子激发温度随空气含量的增加而减小. 相似文献
53.
脱硝反应器由针电极和线电极组成,针电极采用不锈钢细管制成,添加剂从针电极喷出;当针电极接脉冲高压电源电晕放电时,添加剂生成自由基,用以脱除烟气中的氮氧化物.实验结果表明:当氨气和丙烯同时加入时,氮氧化物的去除率随着丙烯加入量及能量密度的增加而增加;在能量密度为2 W·h/m3,氮氧化物的初始体积分数约为80×10-6时,NO的脱除效率达到76%,NOx的脱除率达到54%. 相似文献
54.
利用实验和数值模拟方法研究等离子体显示屏放电单元中的电极间隙、长度、壁障高度等不同参数对放电特性的影响.结果表明,放电效率随电极长度、间隙大小的增大而增大,壁障的存在也使效率略有增加并导致单元有效电容减小,但对放电电压影响很小.单元高度对放电效率影响不大,但可以降低同样间隙下的放电电压.合理选择电极结构可以在较低的维持电压下获得较高的放电效率. 相似文献
55.
关于实验室静电防护的若干基础问题 总被引:3,自引:0,他引:3
根据静电来源及放电原理,分析了静电放电对设备和元器件所产生的危害,提出了实验室在接地系统、人员、设备以及环境等方面的防静电措施. 相似文献
56.
常温常压等离子体氟碳纳米颗粒膜表征 总被引:2,自引:0,他引:2
通过介质阻挡放电在大气压条件下进行等离子体聚合,获得了氟碳聚合物薄膜。并用红外光谱、X射线光电子能谱、扫描电镜以及静滴接触角界面张力测量仪等测试方法研究了膜的化学结构、表面物理形态与放电条件之间的关系。实验结果表明,聚合物膜是一种由纳米颗粒堆积而成的多孔膜。通过选择控制放电的功率、时间以及单体的流量,可以得到含FC或FCO官能团的聚合物膜。经该聚合物涂层后的棉织物具有超级拒水拒油性能,比表面能可降为2.429×10-2J/m2,而且透湿指数为0.9997,涂层后织物透湿性几乎没有变化。 相似文献
57.
高压受限电弧等离子体发生器实验研究 总被引:1,自引:2,他引:1
电热化学发射中,等离子体发生器的放电是电能转化为热能的重要阶段。该文在自由喷射等离子体发生器实验装置上分别对不同毛细管几何参数、不同贮能水平以及不同毛细管材料等3种情况进行了放电实验研究及分析,得出了负载效率、峰值电流、平均电阻等测量参数与贮能水平和毛细管几何参数之间的关系。 相似文献
58.
电爆炸过程导体放电电阻的一种计算模型 总被引:7,自引:0,他引:7
电爆炸过程是电热炮等离子体发生器工作中重要的组成部分。该文将电爆炸过程分为5个阶段加以讨论,同时应用了等离子体电导率的计算模型以及脉冲功率源放电回路模型,最终建立了可以应用于等离子体发生器数值模拟的电爆炸过程导体放电电阻的计算模型。 相似文献
59.
正棒—板短间隙雷电冲击放电电压的海拔修正 总被引:5,自引:0,他引:5
多功能人工气候室内模拟高海拔地区的气压,按照IEC对棒-板间隙试验方法的要求对200mm、300mm和450mm3种正棒-板短空气间隙雷电冲击放电特性进行了系统的试验研究。根据理论分析,提出了由于气压是大气3个基本参数即温度、空气相对密度和绝对湿度的综合反映,因此可以作为表征大气条件对空气间隙击穿电压影响的特征量;根据试验结果,提出了高海拔地区的短空气间隙雷电冲击击穿电压的是相对气压的幂函数,且其特征指数小于1,并因此得出海拔每升高1km,其击穿电压下降8.7%。 相似文献
60.
氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
常天海 《华南理工大学学报(自然科学版)》2003,31(9):40-43
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5~106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150~200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重. 相似文献