Single＆Two—photon Excited Fluorescence of Two New Compounds with 2—Benzothiazoly as Electron Acceptor

Two new D-x-A type compounds,where electron-donor D is tertiary amino group,electron-acceptor A is 2-benzothiazolyl and x is two conjugated styryl units,have been synthesized.They are named as trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diethylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole and trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diphenylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole.Both compounds show strong two-photon excited fluorescence in yellow-orange region when excited by a femtosecond laser at 800nm.     

A New Pathway to Synthesize Cyclomercurated Ferrocenylimines Containing Heterocyclic Ring

The cyclomercurated ferrocenylimines containing heterocyclic ring were prepared by the condensation of cyclomercuration of acylferrocene with the appropriate heterocyclic amine.This procedure provides an efficient method for the synthesis of cyclomerucurated ferrocenylimines containing heterocyclic ring which are difficultly synthesized by the conventional method.The reaction mechanism is proposed.     

井下导线网陀螺经纬仪定向检测与误差分析

介绍用陀螺定向检测井下导线网测理精度的一个实例，较详细地叙述了应用中考虑的问题和成果的分析。它对应用陀螺定向这一新技术有开拓性的意义     

苯乙烯基取代的缩杂环卓酮化合物的合成

探讨了３－肉桂酰基酚酮及其亲电取代产物与盐酸羟氨和盐酸苯肼的反应，合成了１０个苯乙烯基取代的缩杂环酮新化合物，并用元素分析及光谱分析证实了它们的结构。     

C—Bezier曲线

讨论了C—Bezier曲线的端点特性和曲线的性质，给出了C—Bezier曲线和Bezier曲线的G^1光滑拼接和G^2光滑拼接的几何条件，并利用C—Bezier曲线精确地表示二次曲线．     

α-卤代萘与叔己酮碳负离子在Co(Ⅱ)络合物催化下的自由基链式亲核取代反应产物的薄层色谱定量分析

研究了以Co(Ⅱ)络合物为催化剂,α-卤代萘与叔己酮碳负离子的自由基链式亲核取代反应(SRN1)产物α-萘基叔己酮的薄层色谱扫描定量分析方法;定量分析的线性范围为0～4.4μg,平均回收率99%～101%,异板间相对标准偏差为2.3%,同板相对标准偏差为1.6%.     

二十八天水泥抗压强度动态模型及参数对预测的影响

本文用时间序列分析方法分析水泥生产过程,笔者假设水泥生产过程为一个平稳的随机过程,它的二十八天抗压强度为具有控制项的自回归模型。用30组数据建立了28天水泥抗压强度动态模型,并做了跟踪,分析了七天抗压强度、细度、SO_3等与二十八天抗压强度的关系。最后,把生产中实际值和预测值进行了比较。     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

掺Eu3+硅基材料的发光性质

通过溶胶－凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱，结果显示，最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm；在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱，产生4条谱带，分别是577nm(^5D0-^7F0)，588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。