新型金属杂冠醚配合物18-MC-6[Mn6(4-Amashz)6(DMF)6]·12DMF的合成

合成了一种新型金属杂冠醚配合物[Mn6(4-amashz)6(DMF)6]·12DMF,并用X射线衍射法对其结构进行了表征.研究了该化合物修饰金电极催化氧还原的性质,结果表明,该化合物具有平面碟状结构,对在碱性溶液中的氧有显著的催化还原作用.     

基于上海激光电子γ源的天体核合成关键反应12C(α,γ)16O的反应率研究

正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站，基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应¹²C(α,γ)¹⁶O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应¹²C(α,γ)¹⁶O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.     

重离子融合反应入射道效应的动力学研究

运用微观输运模型-改进的量子分子动力学模型(ImQMD), 研究了弹靶质量对称体系⁷⁴Ge+⁷⁴Ge与弹靶质量不对称体系⁴⁸Ti+¹⁰⁰Mo的重离子融合反应入射道效应及其动力学机制, 并分析了复合体系的均方根半径〈r²〉^1/2和形变参量β随时间的演化过程, 结果表明质量对称的反应体系比不对称体系更容易产生形变较大的Gd, 则说明重离子融合反应中的动力学效应对大形变核的产额有很大的影响.     

催化动力学光度法测定痕量铝

痕量铝在硝酸介质中能催化加速过氧化氢和高碘酸钾与二甲苯胺兰FF之间的褪色反应。研究了反应的最佳实验条件,建立了测定痕量铝的新方法。方法检出限为6.1×10-10gAl3+/mL,检测范围为0-1.0μgAl3+/25mL。本方法具有高灵敏度,选择性较好,操作简便,快速的特点。用以测定水样中的痕量铝,获得满意结果。     

氧碘化学激光气固相化学反应体系热力学分析

氧碘化学激光器（COIL）的发展已经到了提高系统安全性和工作环境适应性、降低系统复杂性阶段，而改进O2（^1△g）的产生方式和方法正是这个阶段的重要工作内容之一。近期，美国空军研究实验室运用气-固相反应方式产生O2（^1△g）。采用碱金属过氧化物或碱土金属过氧化物与卤化氢反应，生成O2（^1△g）。通常气一固相反应有着反应速度慢，接触面积小，反应产物难以脱出固体表面的缺陷，使得产出率低，而不被广泛采用。但随着表面化学研究的突飞猛进，借助表面活化分子，特殊性质的表面构造，大表面的构造，都为气一固相反应的进行提供了可行途径。如果此方法能用在氧碘激光器上，将克服传统方法的诸多不足。     

无介质微波作用下酮与稳定叶立德的反应

酮与稳定膦叶立德在家用微波炉中加热，在无任何溶剂或固体介质条件下，4．5min之内完成反应，得到了良好产率的Wittig反应产物，较之液相苯中回流反应的传统方法，此法具有时间短、操作步骤简单、无毒害等优点，同时使一些在传统方法中与稳定叶立德不反应或难反应的酮得以进行并有较好收率。此外，在得到α，β-不饱和酯的同时，还发现了少量重排产物β，γ-不饱和酯，并对其机理进行了推测与证明。     

COIL中稀释气体对单态氧产率影响的实验研究

 利用自发Raman散射光谱对射流式氧发生器的单态氧产率进行了测试，研究了稀释气体对于发生器产率的影响，并分析了造成影响的原因     

Microwave-assisted Regioselective 1-O-Deacylation of Peracylated Glycopyranoses on Alumina

A facile, rapid and regioselective method for the 1-O-deacylation of peracylated glycopyranoses is described which occurs under mild conditions by absorption onto alumina using microwave irradiation.     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染