热灯丝CVD金刚石膜硼掺杂效应研究

利用Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线衍射微分析研究了金刚石膜硼掺杂效应．研究发现，在硼浓度较低时，金刚石膜中非晶碳（Ｓｐ²键合）含量减少，而随着硼浓度增加，金刚石膜的Ｒａｍａｎ特征峰（Ｓｐ^３）向低频方向漂移，并且展宽和出现不对称．这是由于硼掺杂引起晶格变化及Ｆａｎｏ互作用所致 关键词：     

光纤放大器为光通信创造了新的可能性

第一个光纤放大器是在1963年出现的.光纤放大器具有低插入损耗、低噪声、高饱和功率和比较容易装配等优点,因此它们应用得越来越广泛.光纤放大器技术不断地有新发展,到80年代中期这种技术变得十分流行了. 掺铒光纤放大器已成为 1.5 μm光纤通信系统中的基本部件,这种放大器似乎适合于很高的数据传送速率.美国新泽西州 Red Bank贝尔通信研究所的H.Izadpanah等人做了掺铒光纤放大器和半导体激光放大器的对比实验.他们产生速率为100Gb/s的试验光信号,使它们通过这两种放大器.光纤放大器在25.5Gb/s和100Gb/s的数据传送速率下显示几乎无畸变的…     

La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.     

氟氧化物陶瓷的多谱线上转换发光

以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3 :Yb3 共掺杂氟氧化物陶瓷 ,X 射线分析表明陶瓷中存在着 β PbF2 晶相 ,沉积在其中的稀土离子由于具有很低的无辐射跃迁几率而显示出良好的上转换性能。Er3 ,Yb3 离子之间存在的多种能量传递通道 ,导致稀土离子十分丰富的上转换谱线的出现。     

Nd2O3掺杂对SnO2气敏性质的影响

SnO_2是目前应用最广的一种气敏材料。我们曾经报道掺入La_2O_3,CeO_2,Pr_6O_(11),和Nd_2O_3后可使半导体元件的灵敏度提高,尤以对乙醇、乙醚、丙酮为显著。掺Nd_2O_3元件对乙炔的灵敏度也有提高。本文考察了SnO_2粒度和被测气氛的物化性质对掺Nd_2O_3元件灵敏度的影响。SnO_2采用水解SnCl_4法制备,纯度经光谱分析测定合格,试样用标准筛分目。在SnO_2中加1wt%Nd_2O_3(光谱纯)和适量水及甲基纤维素,混磨15分钟。将制成的悬浊液滴在一对铂     

RhCo双金属催化剂的研究III. Rh+Co/Al2O3上表面羰基氢化物及其动态行为

利用连续流动微反研究了Rh+Co/Al2O3催化剂的CO加氢反应, 结果表明反应在220℃以上发生, 反应活性随着温度的升高和H2/CO值的增加而增加。利用TP-IR动态方法研究了Rh+Co/Al2O3上CO和H2共吸附及其动态行为。结果表明在Rh+Co/Al2O3的孪生及线式中心上, CO和H2室温共吸附时即有部分孪生及线式CO转化为相应的羰基氢化物, 随着温度的升高, 剩余的孪生和线式CO继续向相应的羰基氢化物转化。而羰基氢化物则向多羰基氢化物转化。在到达反应温度之前, 催化剂表面只存在羰基氢化物及相应的多氢羰基氢化物。在反应温度则导致产物CH4生成。与CO加氢反应和CO歧化的吸附态研究结果相关联, 作者认为Rh+Co/Al2O3上CO加氢生成CH4是经由羰基氢化物-多氢羰基氢化物途径。