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101.
用so1-gel法以正硅酸乙酯、乙醇和蒸馏水为原料,以盐酸为催化剂,包埋三联吡啶钌[Ru(bpy)3C12]制备催化Belousov-Zhabotinsky(BZ)反应的非线性光催化薄膜,并利用紫外分光光度法测定了在薄膜中Ru(bpy)3Cl2的包埋量.通过投影图像的方法光激发BZ反应,在包埋Ru(bpy)3C12的薄膜上产生化学波图像.在薄膜中演化形成的图像具有相当高的图像清晰度.在图像的演化过程中,具有图像反转、边界增强、图像分割等图像处理能力,并可以通过改变BZ反应条件来调控增强某些图像处理能力. 相似文献
102.
利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降,而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。 相似文献
103.
104.
105.
Growth of ZnO Thin Films on Lattice-Matched Substrates by Pulsed-Laser Deposition 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
《中国物理快报》2003,20(12):2235-2238
106.
牟文英 《国外科技新书评介》2007,(3):24-24
这本专著是由1999年出版的俄语版《高分子膜的强度和破裂》一书修订和扩充而来的。书中展示了作者在脆性和准脆性断裂的固态高分子方面长期做的理论性和实验研究的结果。作者对各种状况下聚合物断裂的统计学特性进行了综合而详细的研究,包括不同的温度、不同的机械应力、不同表面活性媒质、紫外线和1光照射、化学混合物作用等等各种不同条件下的统计学特性。该研究的关键在于发现了两种主要的强度状态:块体试样的低强度状态和纤维及薄膜的高强度状态。书中详细研究了这两种强度状态下的破裂模型的差别。 相似文献
107.
108.
采用射频溅射技术沉积Cu/Sn/Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明,通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有(221)择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明,样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0.073Ω·cm,10^4cm^-1和1.53eV,具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。 相似文献
109.
后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 相似文献