全文获取类型
收费全文 | 79189篇 |
免费 | 3832篇 |
国内免费 | 4745篇 |
专业分类
化学 | 8171篇 |
晶体学 | 336篇 |
力学 | 1577篇 |
综合类 | 430篇 |
数学 | 1709篇 |
物理学 | 10326篇 |
综合类 | 65217篇 |
出版年
2024年 | 301篇 |
2023年 | 1138篇 |
2022年 | 1289篇 |
2021年 | 1371篇 |
2020年 | 1008篇 |
2019年 | 1013篇 |
2018年 | 635篇 |
2017年 | 1010篇 |
2016年 | 1304篇 |
2015年 | 2076篇 |
2014年 | 5223篇 |
2013年 | 4508篇 |
2012年 | 5540篇 |
2011年 | 5940篇 |
2010年 | 5744篇 |
2009年 | 6041篇 |
2008年 | 6568篇 |
2007年 | 5587篇 |
2006年 | 4485篇 |
2005年 | 4185篇 |
2004年 | 3609篇 |
2003年 | 3218篇 |
2002年 | 2736篇 |
2001年 | 2464篇 |
2000年 | 1779篇 |
1999年 | 1437篇 |
1998年 | 1236篇 |
1997年 | 954篇 |
1996年 | 960篇 |
1995年 | 733篇 |
1994年 | 690篇 |
1993年 | 530篇 |
1992年 | 603篇 |
1991年 | 514篇 |
1990年 | 463篇 |
1989年 | 494篇 |
1988年 | 140篇 |
1987年 | 82篇 |
1986年 | 64篇 |
1985年 | 26篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 19篇 |
1982年 | 19篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 8篇 |
1979年 | 4篇 |
1978年 | 1篇 |
1962年 | 2篇 |
1958年 | 1篇 |
1948年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
271.
《大学物理》2006,25(9):F0003-F0003
华中师范大学物理科学与技术学院源于华中大学1903年创立的理学院物理系,历经百年,经过几代学人的共同奋斗,已发展成为具有基础理论研究优势、工科应用研究亮点的特色学院。学院拥有教育部批准挂牌的国家理科(物理学)基础科学研究和教学人才培养基地、物理学博士后流动站、物理学一级学科博士学位点(主要在理论物理、粒子物理与原子核物理、凝聚态物理、光学、无线电物理、原子与分子物理、天体粒子物理二级学科招收硕士、博士学位研究生)以及电子科学与技术(工学)一级学科硕士学位点(主要在电路与系统、物理电子学、电磁场与电磁波二级学科招收硕士学位研究生)。拥有物理学科教学论(教育学)、天体物理(天文学)、材料物理与化学(工学)、通信与信息系统(工学)4个二级学科硕士学位点。拥有湖北省重点学科“理论物理”、“粒子物理与原子核物理”,湖北省重点实验室“高能物理实验室”、“湖北省教育信息化研究中心”。挂靠学院的单位有中南地区理论物理学术交流中心。物理科学与技术学院设有物理学系、电子与信息工程系、粒子物理研究所、纳米科技研究院、湖北省教育信息化研究中心和信息资料中心。学院还设有复杂性科学研究中心、数字空间研究所、天体物理研究所、应用物理研究所、物理教育研究所、光电集成技术研究中心、电子与计算机研究所等科研机构。物理科学与技术学院拥有物理学、电子信息科学与技术、通信工程三个本科专业。国家物理学基础科学和教学人才培养基地班(择优保送硕博连读)学生主要从这三个专业中选拔。学院培养的学生综合素质高、科研能力强。1999年,96级基地班受到教育部、团中央联合表彰,被评为“全国先进优秀班集体标兵”。 相似文献
272.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系. 相似文献
273.
274.
在中小企业的信息化建设过程当中,追求“简便宜用”是其处世哲学,也是其实际境况的反映。因此,打造“简约而不简单”的“平民版本”,为企业构筑起适用的现代化管理平台.成为IT厂商们致力的方向所在![编者按] 相似文献
275.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
276.
277.
278.
皮道华 《数学物理学报(A辑)》1991,11(1):61-69
本文用无穷小变换群使作用量不变的思想,直接导出线性微极弹性动力学的一类守恒律,对线性均匀微极弹性固体证明了在纯量变换下不可能有守恒律,对线性微极弹性动力学而言,可看出守恒律(4.7)式是新的和独特的。 相似文献
279.
280.