超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

Nd：YAG激光器中的自锁模

本文报道在Nd:YAG激光器中首次获得的自锁模脉冲序列.自锁模是由于Nd:YAG棒中的自相位调制引起的.在主被动对撞锁模运转情况下,自锁模对脉冲波形有较大的影响.     

紧矩阵量子群G的余表示与其对偶量子群(A)的关系

设 G=（A,△）为紧矩阵量子群,G为A的所有有限维光滑的、不可约余表示等价类的集合.本文通过（A,△）的一个余表示Vo构造了两个相互配对的集合,利用Hilbert C＊-模的理论证明它们分别为A和Baaj与Skandalis构造的量子群A,并且证明了对任意的α∈G,在A中都对应一个有限维投影算子Pα,满足 dim（α）=dim（pα）.     

临界可压缩模类与弱Jacobson根

本文讨论临界可压缩模类和结合环的弱Ｊａｃｏｂｓｏｎ根．首先，我们证明了非平凡的临界可压缩模类是素模的特殊类．其次，我们引入结合环的弱Ｊａｃｏｂｓｏｎ根．弱Ｊａｏｎｂｓｏｎ根是特殊根．最后，我们给出有关弱本原环，半弱本原环和弱Ｊａｃｏｂｓｏｎ根环的某些性质．     

具有两层基片的微带线的混合模分析

给出了有两层基片的微带线与频率有关的混合模分析，应用傅里叶交换域分析及新的矩阵研究推导出色散特性．除了波导波长以外，还根据功率一电流的定义计算了特征阻抗，波导波长和特征阻抗与频率的关系及其数据值结果，并将其与有关文献的结果相比较，其一致性很好．     

低功率泵浦Ti：Al2O3自锁模激光器

本文报道了低功率泵浦的Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３激光器实现了稳定的自锁模运转，锁模脉冲宽度为１８０ｆｓ。分析了激光器的结构及工作特性。     

C^＊—模理论的若干结果

本文把代数结构与分析体系结合起来，运用同调的方法，较系统地确定了A上C^*－模的部分理论，这里A为复数域C上的交换C^*－代数。即不仅定义了与C^*－模有关的某些新概念，而且还得到了有关C^*－模的若干结果。     

激光二极管侧面抽运Nd:YAG锁模激光器的研究

利用谐振腔的稳定条件对激光二极管侧面抽运的Nd：YAG锁模直腔的稳区特性和谐振腔内的光斑分布进行了分析。根据对腔参量的分析，选取合适的腔参量设计了一个简单的侧面抽运直腔，该谐振腔腔形简单，没有像散，振荡光模式好，有利于激光器的锁模运转。实验中采用国内自行研制的半导体可饱和吸收镜，实现了激光二极管侧面抽运半导体可饱和吸收镜锁模Nd：YAG激光器的连续锁模运转，平均输出功率为2W，锁模脉冲宽度为10ps，重复频率为100MHz。结合实验结果进一步讨论了半导体可饱和吸收镜的一些参量如饱和恢复时间、调制深度等对实现稳定连续锁模的影响。     

关于Fejer点上的一种复有理型插值的一致逼近阶

设D是一个Jordan,Г为其边界，并设Г满足Aльпер条件。本文得到了一种基于Fejer点的有理型插值算子对于f(z)∈C（Г）的一致逼近阶。