嗜热蓝藻鞭枝藻藻胆体的分离及其光谱特性的研究

从嗜热蓝藻鞭枝藻（Ｍａｓｔｉｇｏｃｌａｄｕｓｌａｍｉｎｏｓｕｓ）中分离出藻胆体，并对其光谱特性进行了研究．完整藻胆体的室温荧光峰位于６７３ｕｍ，７７Ｋ荧光发射光谱中只有一个峰，位于６８５ｕｍ，解离的藻胆体的７７Ｋ荧光峰位于６８３ｎｍ，并在６６６ｎｍ和６５０ｎｍ处形成小的荧光发射峰．严重解离的藻胆体室温荧光峰位于６４５ｕｍ，７７Ｋ荧光峰位于６４４ｕｍ，６８３ｕｍ荧光显著下降，成为小峰．完整藻胆体与解离的及严重解离的藻胆体的吸收光谱没有显著差别，吸收峰位于６２２ｕｍ，在５８０ｕｍ处有一吸收肩．     

关于体上分块矩阵的群逆

本文利用分块矩阵方法．研究了体上两个矩阵乘积的群逆的存在性及表示形式，给出了体上两个矩阵乘积群逆存在的充分必要条件和表示形式．并且在一定条件下．给出了体上分块矩阵的群逆存在性及表示形式．     

冈村枝管藻孢子体的形态和超微结构

从日本冲绳采回枝管藻，用毛细管将成熟多室孢子囊挑出，在试验室条件下培养，可长成孢子体．用光学显微镜和透射电子显微镜观察发现：孢子释放后形成盘状体附着在基质上，念珠状同化丝从盘状体中间分生．同化丝可从中间部位产生分支，多室孢子囊位于部分同化丝的近端部；同化丝大量产生后基部细胞平行排列，中空，形成假薄壁组织，而后孢子体进入伸长生长阶段；在每个盘状体细胞和同化丝细胞中都有多个色素体和线粒体，蛋白核突出于色素体其他部分，类脂体存在于类囊体中；在同化丝的细胞壁上存在缺口；对同化纤毛而言，色素体和线粒体数量少，紧贴细胞膜，质壁分离严重，在细胞壁上存在“通道”．     

Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

凸体的曲率映象与仿射表面积

本文研究了一些特殊凸体与其极体的曲率仿射表面积乘积的下界.对任意两个凸体,建立了它们的投影体的混合体积与其仿射表面积的一个不等式（见文[1-15]）.     

代数体函数的定理

本文定义并研究了代数体函数的加法．结合杨乐的方法,将仪洪勋联系重值的亚纯函数唯一性定理推广到多值的代数体函数．     

三缺位杂多阴离子PW_9(O_(34))~(9-) 的二苯基硅衍生物的合成和表征

以Na8 H[PW9O3 4 ]·nH2 O与Ph2 SiCl2 为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A -PW9O3 4 (Ph2 Si)3 ](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O -W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构.热分析结果表明,该化合物的热分解温度在 4 95.2℃左右