态叠加原理及其在结构化学上的应用

本文对态叠加原理的物理实质进行了讨论。又重点地介绍了态叠加原理在结构化学上三个方面的应用。     

加深对“稳定态”概念的理解

稳定态(steady state),又称稳态,定常态,是化学工程中的一个重要基本概念,贯穿于化学工程课程的始终。任何一个过程,无论是物理过程还是化学过程,都有稳定态与非稳定态之分。因此,弄清稳定态的真实含义,掌握其性质特征,是相当重要的。 一般说来,非稳定过程比稳定过程更复杂多变,是客观世界中普遍而常见的现象。可是在化工基础课程的教学中,为简化问题,便     

关于反射光偏振态的探讨

讨论反射光偏振的理论依据是麦克斯韦电磁场理论，与介质的折射率、入射光的偏振态及入射角有关，注意相位的改变，然后依据菲涅耳公式来判断。     

点态化Fuzzy域及其性质

本文从点的角度重新定义了Ｆｕｚｚｙ域，并讨论了它的一些性质。     

同步时序电路转换符设计法

本文通过应用转换符法，可以方便地设计中各种状态的同步时序电路。     

不对称五氮齿扩展卟啉配合物的激发态性能研究

研究了不对称五氮齿扩展叶啉配合物的激发态性能.结果表明:随苯环上取代基变化,其发射光谱出现在770～820 nm的近红外区域,荧光量子产率小于0.02,寿命小于(?)ns.最低激发单重态能量、荧光量子产率分别和对位取代的 Hammett常数及亲电取代的Hammett常数存在很好的线性关系.激发三重态的能量为123kJ/mol左右,T_1～T_n吸收峰值出现在460～490nm区域,三重态寿命在几十微秒量级,敏化产生单重态氧的量子产率可高达0.9以上.     

高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

“变截面管中跨声速气流”一文引理的证明

本文对T·P·Liu教授关于“变截面管中跨声速气流”一文的关键性引理给出一个清楚的证明,以使这篇有影响的开创性论文更加完美。