全文获取类型
收费全文 | 73773篇 |
免费 | 4819篇 |
国内免费 | 7538篇 |
专业分类
化学 | 16177篇 |
晶体学 | 1389篇 |
力学 | 3768篇 |
综合类 | 782篇 |
数学 | 5141篇 |
物理学 | 10882篇 |
综合类 | 47991篇 |
出版年
2024年 | 360篇 |
2023年 | 1271篇 |
2022年 | 1548篇 |
2021年 | 1736篇 |
2020年 | 1423篇 |
2019年 | 1506篇 |
2018年 | 868篇 |
2017年 | 1437篇 |
2016年 | 1578篇 |
2015年 | 2044篇 |
2014年 | 3603篇 |
2013年 | 3351篇 |
2012年 | 4003篇 |
2011年 | 4145篇 |
2010年 | 3981篇 |
2009年 | 4242篇 |
2008年 | 4514篇 |
2007年 | 4101篇 |
2006年 | 3539篇 |
2005年 | 3362篇 |
2004年 | 3220篇 |
2003年 | 3586篇 |
2002年 | 3204篇 |
2001年 | 3081篇 |
2000年 | 2478篇 |
1999年 | 2077篇 |
1998年 | 1814篇 |
1997年 | 1883篇 |
1996年 | 1866篇 |
1995年 | 1692篇 |
1994年 | 1345篇 |
1993年 | 1250篇 |
1992年 | 1266篇 |
1991年 | 1256篇 |
1990年 | 1205篇 |
1989年 | 1093篇 |
1988年 | 441篇 |
1987年 | 302篇 |
1986年 | 197篇 |
1985年 | 100篇 |
1984年 | 49篇 |
1983年 | 50篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 7篇 |
1978年 | 10篇 |
1962年 | 5篇 |
1957年 | 6篇 |
1932年 | 2篇 |
1926年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 相似文献
72.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
73.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
74.
医用降温仪的设计与试验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍应用机械制冷方法设计医用降温仪的过程,并对所研制的降温仪进行试验和分析研究。 相似文献
75.
76.
利用Riccati变换求解同谐谐振子的定态薛定谔方程,求得了能谱及态函数
关键词:
同调谐振子
本征值谱
Riccati变换法 相似文献
77.
78.
79.
80.