全文获取类型
收费全文 | 187篇 |
免费 | 48篇 |
国内免费 | 59篇 |
专业分类
化学 | 36篇 |
晶体学 | 25篇 |
力学 | 26篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 1篇 |
物理学 | 96篇 |
综合类 | 109篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 8篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 16篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 10篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 12篇 |
2008年 | 27篇 |
2007年 | 19篇 |
2006年 | 14篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 9篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有294条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
为保证船舶在北极航道特殊环境下正常航行,对船舶金属材料进行冰黏附测试就显得极为重要.对黄铜、6061铝合金和Q235这三种船舶常用金属进行实验,测量不同温度和不同湿度下这三种金属的表面冰黏附强度,并分析其与表面温度以及表面湿度之间的关系.结果表明,冰黏附强度变化规律与类液层理论相符;黄铜、6061铝合金和Q235的切向... 相似文献
42.
应用激光光谱学方法,研究了铜表面Rh6G分子的荧光增强效应对于金属衬底表面所形成的氧化层的依赖关系,探索了由于空气氧化而形成的氧化层在表面荧光增强效应中的重要意义和作用机理.实验采用罗丹明6G荧光探针分子,在532 nm连续光激发下,研究机械抛光铜金属衬底在经历不同氧化时间,对吸附其表面的Rh6G分子的荧光增强效果.研究结果表明,适当控制金属样品表面的氧化时间,金属铜表面对若丹明分子的荧光发射表现出猝灭和增强效应.金属氧化层起到了隔离荧光分子与金属表面的作用,减弱了由于激发态荧光分子向金属转移非辐射能量和在金属表面诱导反向偶极子而产生的荧光猝灭效应,从而提高了纯金属铜表面荧光增强辐射行为.因此在微纳金属衬底的荧光增强效应研究中,采用适当的实验手段,精确控制隔离层间距,是表面增强光谱获取的重要途径之一. 相似文献
43.
CMP流场的数值模拟及离心力影响分析 总被引:1,自引:0,他引:1
化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是一项融合化学分解和机械力学的工艺, 其中包含了流体动力润滑的作用.在已有润滑方程的基础上, 提出并分析了带有离心力项的润滑方程.利用Chebyshev加速超松弛技术对有离心力项的润滑方程进行求解,得到离心力对抛光液压力分布的影响. 数值模拟结果表明,压力分布与不带离心力项的润滑方程得出的明显不同;无量纲载荷和转矩随中心膜厚、转角、倾角、抛光垫旋转角速度等参数的变化趋势相同,但数值相差较大, 抛光垫旋转角速度越大差别越大. 相似文献
44.
45.
单晶硅片化学机械抛光材料去除特性 总被引:1,自引:0,他引:1
根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率. 相似文献
46.
本文以HNO3、NaOH、Fe(NO3)3和SiO2浆料为原料,采用沉淀法制备了1种SiO2/Fe2O3复合磨粒,通过X射线衍射仪(XRD)、飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行表征,结果表明Fe2O3包覆到SiO2的表面,复合粒子具有很好的分散性.用UNIPOL-1502抛光机研究了所制备复合磨粒在镍磷敷镀的硬盘基片中的抛光性能,抛光后硬盘基片的表面粗糙度Ra由抛光前的8.87nm降至3.73nm;抛光后表面形貌的显微镜观测结果表明新制备的复合磨粒表现出较好的抛光性能. 相似文献
47.
48.
LBO晶体超光滑表面抛光机理 总被引:1,自引:0,他引:1
胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系.LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除.酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度. 相似文献
49.
6H-SiC衬底片的表面处理 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜. 相似文献
50.
采用线结构光法测量金属表面形貌时,由于受到金属表面光学特性和散斑噪声的影响,条纹中心的提取误差往往较大。为此,提出了一种非相干线结构光形貌测量方法,避免了散斑噪声的影响。通过分析该方法测量金属表面形貌时的条纹图像特点,提出一种适合非相干线结构光条纹的中心提取方法。该方法首先采用结合积分图像原理的自适应阈值分割算法,对原条纹图像进行分割。采用灰度重心法粗提取原条纹中心坐标,以该坐标为基准向条纹宽度方向延伸,从而确定阈值分割后条纹图的感兴趣区和背景区,并去除背景区的噪声。经中值滤波后,采用几何中心法提取条纹中心。实验结果表明:采用该方法提取粗糙度样块表面非相干光条纹中心的平均误差为1.5μm,提取齿轮渐开线样板表面非相干光条纹中心的平均误差为0.9μm,均比其线激光条纹中心的提取误差小。所提方法能实现金属表面非相干线结构光条纹中心的精确提取。 相似文献