ThMn12型金属间化合物YFe10-xSix有序化行为的热力学研究

采用四亚晶格热力学模型,辅助以第一性原理总能计算,研究了具有ThMn12原型结构的YFe10-xSix金属间化合物中元素的占位有序化行为.结果表明,YFe10.2Si1.8和YFe10Si2化合物中稀土元素Y占据2a亚晶格,Fe占据全部8i亚晶格和部分8j,8f亚晶格,Si占据部分8j,8f亚晶格,且Si更倾向于占据8f亚晶格.随温度的变化,YFe10-xSix化合物中各元素的占位有序化行为并不发生改变.本文预测结果与近期文献报道的实验结果相当吻合,间接证明了成分为YFe10Si2的化合物以ThMn12型结构的YFe10.2Si1.8相和α-(Fe,Si)固溶体相的共存形式更为合理.     

Fe3Al合金形诱导有序显微结构及合金元素的作用（Ⅱ）

从变诱导有序显微结构变化的角度，说明合金元素铬和钼对Ｆｅ３Ａｌ基合金力不用显微组织的影响，结果表明：合金元素铬和钼主要固溶于Ｆｅ３Ａｌ基合金中，铬的主要作用 溶软促进形变诱导无序化；钼主要起固溶强化作用，阻碍形变诱导无序化，有利地蠕变回复诱导有序化。     

“有序化假设”策略及其应用

当题目中出现多个具有对称性的未知量时,若按照单调递增（或递减）的顺序将其重新排列,可以在不改变题意的基础上创设一系列不等式条件,有效降低问题的复杂度和抽象程度,本文介绍这一“有序化假设”的解题策略,并应用这种方法求解几道数学创新题.     

A New Kind of Two-Fold Integration Transformation in Phase Space and Its Uses in Weyl Ordering of Operators

We propose a new two-fold integration transformation in p-q phase space∫∫^∞-∞dpdq/π e^2i（p-x）（q-y）f（p,q）≡G（x,y）,which possesses some well-behaved transformation properties. We apply this transformation to the Weyl ordering of operators, especially those Q-P ordered and P-Q ordered operators.     

一种面向集外字输入的手写汉字轮廓提取算法

介绍了一种按照TrueType字库格式对手写汉字提取字形轮廓的算法,包括手写汉字轮廓数据的获取、轮廓的有序化以及轮廓字形特征点的提取等主要步骤.实验表明,该算法效果良好,提取出的字形轮廓可以写入Windows集外字TrueType字库,自动生成TrueType字模.     

Bi底层对FePt薄膜的影响

利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了以Bi为底层的FePt薄膜，经不同温度真空热处理得到L1₀-FePt薄膜.研究了Bi做底层对FePt薄膜的有序化温度及矫顽力H_c的影响.实验结果表明：以Bi做底层的FePt薄膜在350℃实现低温有序，同时其H_c也有大幅度提高，并且可以在更大成分范围内获得H_c较高的L1₀-FePt薄膜.利用X射线光电子能谱研究了薄膜中Bi原子的分布情况，利用X射线衍射研究了薄膜的晶体学结构变化.结果表明,Bi底层在退火过程中的扩散促进了FePt薄膜有序度的升高. 关键词： 0-FePt薄膜')" href="#">L1₀-FePt薄膜 有序化温度 底层 扩散     

铝锂合金调幅分解的X射线衍射研究

通过Ｘ射线衍射及ＴＥＭ研究了Ａｌ－１２．７ａｔ％Ｌｉ合金时效早期的相交，发现固溶处理状态试样的Ｘ射线衍射谱的（２００）主峰两边存在边带现象，证实了该合金相分解早期阶段存在调幅分解，且伴随着有序化和δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）相的析出。     

Fe3Al合金形变诱导有序显微组织变化及合金元素的作用（Ⅰ）

研究了Fe3A1基金属间化合物合金的室温变形和高温蠕变特点。结果表明，Fe3A1合金室温形变将发生诱导无序化现象.蠕变过程中不仅发生形变诱寻无序化现象，而且发生蠕变加速有序转变现象，形变诱导存序显微结构变化将淡化原始结构对蠕变断裂寿命的影响.     

新的分子组装技术：自组装成膜及其应用

通过化学吸附可实现有机分子在固体表面上的自动有序排列，形成的自组装膜的稳定性和有序性优于ＬＢ膜，成膜技术简便，在非线性光学，微电子学，分子器件，传感器件，分子生物学及表面修饰等方面具有广泛应用价值。     

L lo FePt thin films with [001] crystalline growth fabricated by ZnO addition and rapid thermal annealing

FePt films with a high degree of order S of the L10 structure （S 〉 0.90） and well defined [001] crystalline growth perpendicular to the film plane are fabricated on thermally oxidized Si substrates by the addition of ZnO and a successive rapid thermal annealing （RTA） process. The optimum condition to prepare high-ordering L10 FePtZnO films is 20 vol% ZnO addition and 450 ℃ annealing. The effect of the ZnO additive on the ordering process of the L10 FePtZnO films is discussed. In the annealing process, Zn atoms move to the film surface and evaporate. The motion of the Zn atoms accelerates the intergrain exchange and decreases the ordering temperature.