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31.
Holographic lithography coupled with the nonlinear response of photoresist to the exposure is adopted to fabricate porous photoresist (PR) mask. Conventional dot PR mask is also generated, and both patterns are transferred into a underlying GaAs substrate by the optimal dry etching process to obtain tapered subwavelength crossed gratings (SWCGs) to mimic the moth-eye structure. In comparison of the experiment and simulation, the closely-packed pseudo-rhombus-shaped GaAs SWCGs resulting from the porous mask outperforms the conical counterpart which comes from the dot mask, and achieves a reported lowest mean spectral reflectance of 1.1%. 相似文献
32.
193nm光刻曝光系统的现状及发展 总被引:1,自引:0,他引:1
投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。 相似文献
33.
针对传统接触式曝光过程中掩模版因自身重力产生形变从而引入不可忽视的线宽误差和位置误差的问题,提出了一种大口径石英基底衍射透镜的高精度制备方法.采用背面具有真空道的高平面度、高强度金属校正工装吸附在掩模版上,利用掩模版上下表面的压强差使其与工装高度贴合,确保掩模版的高平面度.待石英基底所有区域均与掩模版结构面紧密贴合后取下工装.完成接触式曝光和显影后,采用反应离子刻蚀技术对大口径石英基底进行刻蚀,最终得到高精度微纳米结构.经有限元分析,使用该校正工装后,掩模版的形变量由28.85μm减小为0.88μm.实验结果表明,采用该方法制备的口径430mm两台阶石英基底菲涅尔衍射透镜波像差优于1/25λ,平均衍射效率为38.24%,达到理论值的94.35%,具有良好的聚焦和光学成像效果. 相似文献
34.
为了适应光照强度的变化,通常需要改变积分时间来选择合适的曝光量.但积分时间设置过长,会使CMOS图像传感器的输出帧频大幅度的降低.为了解决这一问题,以IBIS5-A-1300 CMOS图像传感器为例.在分析其内部结构和积分驱动时序的基础上,提出了一种改进的设计方法,可以保证在对图像传感器的输出帧频影响较小情况下,能够实现自适应光照强度调整.利用VHDL语言对设计的驱动时序进行描述,并在QuartusⅡ环境下进行系统功能仿真,仿真结果表明,所设计的驱动时序可以满足自适应曝光的要求. 相似文献
35.
介绍了一种高性噪比、高集成度、高低照度性能的新型CMOS传感器MT9V022,并将该传感器成功地应用于脉冲激光的检测系统。 相似文献
36.
选题策略是计算机化自适应测验(CAT)的核心.该文提出了一种新的选题策略,是一种相对严格的“升a”方法,它选择区分度参数的百分等级尽可能接近测验进程的项目,而且还可以通过调整控制参数的取值来满足不同测验场景的需求.Monte Carlo实验结果表明:该方法在测验精度、项目曝光率控制和题库利用率等方面均表现良好. 相似文献
37.
38.
电视摄像中的光圈控制技术 总被引:2,自引:0,他引:2
陶晓静 《东莞理工学院学报》2005,12(5):78-81
在摄像艺术创作中,对光圈的控制实际上是对画面曝光和产生不同影调的控制.正确掌握光圈的控制技术,在摄像中是一个相当重要的环节.可以说,它既是技术性的手段,又是艺术性的手段.文章对摄像艺术创作中光圈的控制与画面曝光及产生不同的影调进行论述. 相似文献
39.
针对面曝光快速成形系统的需要,提出了基于SolidWorks的CAD模型直接切层方法.利用SolidWorks在工程图环境下的剖切功能,实现对CAD模型的直接切层.解决了对复杂CAD模型切层时出现的截面错位问题.论述了用于多种曝光模式的截面填充样式的实现方法.以该切层方法得到的CAD模型的截面图形作动态掩膜,利用面曝光快速成形系统成功制作出了三维实体原型,表明该直接切层方法适用于面曝光快速成形系统. 相似文献
40.