Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

一种基于多层Winsock模型的远程数据库访问技术研究

介绍了远程数据库访问的3种模式及其特点。提出了以单层Winsock模型为基础架构，多层Winsock相结合进行命令转发的远程数据库访问技术。最后，针对一类典型的多层网络应用系统，详细介绍了其实现原理及关键技术。     

利用CWDM实现多路信号传输的光纤通信系统

介绍了一种利用CwDM（粗波分复用）实现包括视频信号、网络信号和多路数据信号传输的光纤通信系统，其中较详细地介绍了多路数据信号传输的设计及实现方法，包括其编／解码原理和利用CPLD来实现同步码的生成与提取过程．此系统已经应用于科研项目中，而且较好地实现了多路信号的传输，工作状态一直很稳定．     

松花粉药典

在海拔500到800米的地方，从南滨到北疆，有一种松树在恣意的生长。几千年以来，因为普通而没有引起人们的重视，直到今天，随着生物萃取技术的进步，松树的药用价值才凸现出来，并由此带来了一个广阔的市场空间。     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

298K毛吸附溴化烷基三甲铵的性质及自由能

用液 /固吸附计量置换模型 ( SDM- A) ,研究了 2 98K羊毛纤维吸附溴化烷基三甲铵阳离子表面活性剂 CTAB和 DTAB的吸附等温线 ,结果表明它们均遵从 SDM- A的线性作图关系 .用 SDM-A的线性参数βα 和 q/z很好地描述了碳氢链长及加盐效应对于吸附性质的影响规律 ,特别是能定量地描述加盐效应对于吸附同时具有的促进和抵消两种相反作用的程度 ,并用 SDM- A的热力学 ,由线性参数计算得到了不同体系的吸附亲和能 ΔGA,解吸能 ΔGD 及总过程的自由能 ΔGP.一个吸附体系中 ,ΔGA 为常数且为较大的负值 ;ΔGD 为随溶液体相浓度 c增大而增大的正值 ;ΔGP为与 lgc呈线性关系的较小的负值 .计算所得结果能很好地解释实验事实 ,并可从更深层次上揭示吸附机理 .     

一种基于B/S的农业资源综合数据服务系统──通用农业资源数据服务系统开发设计

基于浏览器 /服务器 (B/S)结构的通用农业资源数据库系统 ,将农业统计中常用的 5 0 0多个技术指标分成三大类 ,17个小类 ,基本涵盖了农业生产和管理统计的主要领域 普通用户通过浏览器实现对数据库的组合查询或浏览 ,也可将数据文件下载 系统提供了 9种统计分析方法以及 5种预测方法 ,授权用户可进行数据文件上载 管理员通过浏览器可对数据库进行管理维护     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。