楔型向错偶极子和裂纹的干涉效应

研究了晶体材料中一个楔型向错偶极子与裂纹的弹性干涉效应．运用复变函数方法获得了复势函数和应力场的封闭形式解答,导出了裂纹尖端应力强度因子和作用在向错偶极子中心点像力的解析表达式．获得了向错偶极子的位置、方向和偶臂长度对裂纹尖端应力强度因子的影响规律,并讨论了裂纹附近向错偶极子的平衡位置．结果表明向错偶极子靠近裂纹尖端时,对应力强度因子有明显的屏蔽或反屏蔽作用．     

平面向量中的典型错例剖析

平面向量是高中数学必修部分的重要内容,也是高考考查的重点之一．该模块知识在数学、物理等学科中有着广泛的应用,而且考试中经常与其它数学知识进行交汇出题,综合性强．同学们在复习时,由于受知识片面性的制约,再加上方法选择不当、思考不严谨等不利因素的影响,会出现不少的解题误区．本文通过举例,对平面向量中的典型错例进行剖析,供大家学习时参考．     

深井综放采场区段巷道内错采空区布置开采技术

针对深井综放采场沿空区段巷道冲击地压难以控制、巷道支(维)护难度大问题.提出一种区段巷道内错采空区布置(简称负煤柱),并配套高档普采段合理支护技术、工作面平缓变坡技术和工作面防火技术.经过现场应用,该技术防治冲击地压效果显著,有效控制巷道变形,减小巷道支(维)护难度,有一定的应用价值.     

电学典型题错解剖析

1 物理概念理解不清[例1](2008年山东潍坊)将标有220 V,15 W的甲灯和220 V,60 W的乙灯串联后接在220 V的电源上,组成闭合回路(设灯丝电阻不变)则下列判断正确的是     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.     

芳香共聚酯B-N多种向列织构的形态研究

从一种聚芳酯B-N得到了丝状(包括细丝和粗丝)、纹影状和大理石纹状等与小分子向列液晶相似的多种织构。由于样品淬火后晶片装饰在织构上而不影响分子取向矢的分布,因而可以用化学刻蚀和电镜技术揭示其向错和取向矢图。电镜和光学显微镜的结果相互补充,表明了细丝和粗丝状织构的分子取向矢分布很不相同,是两种不同的织构,而粗化始于第二熔融降温。在这些向列织构中分别发现了S=±(1/2)和s=+1的向错的例子和平面内微区转向壁的证据。     

捕错译码的实现

本文以（１５．１１）系统循环码为例，提出一种能纠单个错和连续四位突发错的译码方法和实用电路．该方法可以推广到（ｎ，ｋ）系统循环码中去，从而实现纠（ｎ－ｋ）位突发错能力．     

具有大2-adic与k错2-adic复杂度的周期序列

在密码学的流密码理论当中,2-adic复杂度、k错2-adic复杂度类似于其它复杂度测度,同样要具有较大的数值.文中借助数论中的中国剩余定理等相关理论研究了二元序列的2-adic复杂度与线性复杂度的关系,证明了具有最大2-adic复杂度以及较大k错2-adic复杂度的N周期序列的存在性,给出了具有这种性质的周期序列的数目的下界.以此种周期序列作为密钥流序列可以有效地抵抗穷举攻击.     

Fe-Cr-Mn(W,V)合金中层错和fcc(γ)hcp(ε)转变特征

利用TEM和X射线衍射仪对固溶态、固溶空冷态和固溶冰水淬火态亚稳奥氏体Fe-Cr-Mn(W,V)合金(84), 以及固溶态、固溶 + 拉伸变形态稳定奥氏体Fe-Cr-Mn(W,V)合金(85N)γ→ε中转变与层错之间的关系进行了研究,并对影响γ→ε马氏体转变的合金元素进行了分析,提出了进一步提高合金相稳定性的措施.