双杂质一维原子链中的晶格振动

对于含有两个杂质的一维单原子链的振动方程求解,得到晶格振动频率的解.分析了振动频率和杂质质量以及两杂质间距离的关系.     

氯胺酮杂质的超高效液相色谱-质谱法分析及其关联性判别应用

分别使用超高效液相色谱-四极杆-飞行时间质谱(UPLC-Q-TOF MS)和超高效液相色谱-三重四极杆质谱(UPLC-QqQ-MS)联用技术,分离、筛选并测定氯胺酮中的17种杂质。首先,使用UPLC-Q-TOF MS检测并筛选出氯胺酮中的17种特征杂质;然后,再使用UPLC-QqQ-MS优化得到17种杂质的两个定性离子对,并采用多反应监测模式同时对17种杂质进行半定量分析;随后,通过欧几里得距离计算方法对6起制毒案件缴获的112份氯胺酮样品进行聚类分析,验证该方法的可靠性;最后,对700份缴获的氯胺酮进行关联性判别,筛选出14组关联性极强的案件,从而推断出缴获氯胺酮的来源(制毒加工厂)和贩运路线。通过聚类分析及关联性判别得出的结果,可为公安执法部门提供具有科学价值的情报,诸如追溯氯胺酮来源(制毒加工厂)、氯胺酮的贩运路线及串并案分析。     

Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal

LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti： LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively： The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^＋ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4＋-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals.     

几种典型轻杂质非日冕辐射的计算与分析

利用Hulse原子速率系数代码和简单的0维模型,计算了聚变实验装置中几种典型轻杂质的非日冕辐射特性的结果,并分析了它们辐射的特点。     

ICP-AES测定电解镍中的杂质元素

采用电感耦合等离子体发射原子发射光谱法(ICP-AES)测定了电解镍中锰、磷、钴、铁、铜、镁、铝、锌、镉、硅和锡等11种元素的含量,对仪器各项参数进行优化,采用基体匹配办法克服基体干扰,通过选择合适的分析谱线和背景校正消除共存元素间干扰。方法应用于实际样品分析,11种元素的回收率为92.0%—107.0%,相对标准偏差0.3%—5.1%,测定结果与标准方法的测定值相符。     

量子位Heisenberg XX开链中边界量子位之间的纠缠

Heisenberg 开链对研究量子态在自旋链上的传递有重要的意义.本文研究了五量子位Heisenberg XX 开链中边界量子位之间的纠缠，在该系统中引入了磁杂质和系统杂质且它们之间满足线性关系时，该系统可以精确求解，此时边界量子位之间存在纠缠.选择合适的杂质参数和磁场参数，该边界纠缠的最大值可达到0.5. 关键词： Heisenberg XX开链 边界纠缠 杂质     

托卡马克中的超高真空技术

赵高真空技术对于现代托卡马克的设计运行、升级和氘－氚验证实验都起着举足轻重的作用,它对先进高密度偏滤器和下一代托卡马克工程堆也有很大的影响。同时,聚变研究的许多新概念也促使了高真空技术的革新。三十五年来,等离子体密度、杂质和壁条件的控制与真空检漏、烘烤去气、放电清洗、壁处理、氢（氘、氚）的捕获、释放和再循环、壁腐蚀和再沉积等密切地联系在一起;高性能的真空室、耐烘烤和振动的超高真空密封、先进的面向等离子体组件、有效的壁处理方法、大抽速泵组等的研制成果为控制等离子体与壁的相互作用、改善聚变三乘积（niTiτE)和验证托卡马克聚变能的科学可行性作出了重大贡献。     

HL—1托卡马克杂质注入实验及杂质输运特性的研究

本文给出了ＨＬ－１托卡马克在通常欧姆放电和偏压诱发Ｈ模放电条件下，脉冲注入杂质气体的实验结果以及对杂质在通常欧姆等离子体和偏压诱发Ｈ模等离子体中的输运研究结果。     

多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。 关键词：     

用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布

用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。