自然循环回路内芯片的强化沸腾换热研究

针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低.     

基底温度对α-C:H膜微观结构的影响

使用RF-PECVD法分别在基底温度为60℃、120℃和200℃的N型单晶锗表面制备了α-C:H膜,采用拉曼光谱、傅里叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜等技术手段研究分析了α-C:H膜的价键组成及表面形貌,讨论了基底温度对α-C:H膜微结构及部分性能的影响。结果表明,在α-C:H膜沉积过程中,基底温度对膜层微观结构有较大影响,基底温度60℃时,膜层表面光滑、致密无石墨化现象。随着基底温度的升高,α-C:H膜中含H量和微晶石墨量逐渐增多,α-C:H膜层性能也逐步退化。     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心     

冷速对液态合金Ca50Zn50快速凝固过程中微观结构演变的影响

采用分子动力学方法对六种不同冷速对原子尺寸相差较大的液态合金Ca50Znso凝固过程中微观结构演变的影响进行了模拟研究,并采用双体分布函数、Honeycutt—Andersen（HA）键型指数法、原子团类型指数法（CTIM一2）、可视化等方法进行了深入分析,结果表明：系统存在一个临界冷速,介于和5×10^11K／s与1×10^11K／s之间,在临界冷速以上（如1×10^11K／s,1×10^11K／s,1×10^11K／s和5×10^11K／s）时,系统形成以1551,1541,1431键型或二十面体基本原子团（12012000）等为主体的非晶态结构;在临界冷速以下时,系统形成以1441和1661键型或bcc基本原子团（1460800）为主体（含有少量的hcp（1200066）和fcc（12000120）基本原子团）的部分晶态结构．在非晶形成的冷速范围内,其总双体分布函数的第一峰明显分裂成与近邻分别为Zn—Zn,Ca—Zn,Ca—Ca相对应的三个次峰;且随着冷速的下降,同类原子近邻的次峰峰值升高、异类原子近邻的次峰峰值下降;Zn原子容易偏聚,随着冷速降低,二十面体的数量增多,非晶态结构也越稳定．在晶态形成的冷速范围内,Zn原子己大量偏聚形成大块bcc晶态结构,Ca原子也部分形成hcp和fcc晶态结构．     

不同晶相结构和形貌TiO2负载Ru催化剂的CO选择甲烷化

用水热法得到的钛酸纳米纤维前体,通过不同后处理方法合成了多种纳米结构的TiO₂．采用N₂等温吸附和BET比表面、X射线衍射、透射电镜和能量分散X射线分析表征了TiO₂及负载Ru催化剂的微结构,包括比表面、晶相结构和形貌以及Ru纳米颗粒尺寸分布等．对负载Ru催化剂在富氢条件下CO选择甲烷化反应活性测试表明：金红石相TiO₂和TiO₂-B为载体负载的Ru催化剂比锐钛矿相TiO₂负载的Ru催化剂表现出更高的反应性能．其活性区别说明了不同晶相结构和形貌TiO₂载体与Ru纳米颗粒的相互作用存在差异．     

研究固体微结构的X射线粉末衍射全谱图拟合方法

Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法是一种有效的晶体结构和微结构的分析方法。本文介绍了Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法的基本原理，综述了该方法中的线形分析、校正及其在晶体结构分析、微结构分析、相定量分析和衍射图谱指标化等方面应用的最新进展。文章最后介绍了在实验方案选取方面的新概念     

(Zr,V)N复合膜的结构、力学性能及摩擦性能研究

通过非平衡磁控溅射的方法制备了不同V含量的(Zr,V)N复合薄膜, 采用EDS, XRD, XPS, 纳米压痕仪和摩擦磨损仪等对薄膜的化学成分、微结构、力学性能及摩擦性能进行了研究. 结果表明, V的加入虽未改变ZrN的fcc晶体结构, 但使薄膜的择优取向由ZrN的(200)面转变为(Zr,V)N的(111)面. 随着V含量增加, (Zr,V)N复合膜的硬度略有升高后缓慢降低, 并在含25.8 at.%V后迅速降低. 与此同时, 薄膜的常温摩擦系数亦有小幅降低. 高温摩擦研究表明, (Zr,V)N薄膜在300 ℃时出现V₂O₃, V₂O₅ 在500 ℃后形成, 其含量也随温度的提高而增加. 薄膜的摩擦系数因V₂O₅ 的形成而得到显著降低. 关键词： (Zr,V)N 薄膜 微结构 力学性能 摩擦性能     

南京大学固体微结构国家重点实验室诚招英才

南京大学固体微结构物理国家重点实验室始建于1984年,是国内首批建设、开放的国家重点实验室.实验室在国家相关部门组织的历次评估中均名列前茅,是国家凝聚态物理研究的     

南京大学固体微结构国家重点实验室诚招英才

南京大学固体微结构物理国家重点实验室始建于1984年,是国内首批建设、开放的国家重点实验室.实验室在国家相关部门组织的历次评估中均名列前茅,是国家凝聚态物理研究的重要基地之一.固体微结构物理国家重点实验室研究凝聚态物质中不同尺度层次,不同类型微结构组态、分布、相互作用及形成和转变规律,揭示它们与宏观物理性质间的内在联系,并将理论研究、     

PCL/SiO2杂化纳米相微结构与晶态成核生长特性

应用扫描电子显微镜、广角X射线衍射和差示扫描量热手段研究了有机高分子/无机组分间以物理次价力(氢键)键合的高分子量PCL/SiO2杂化材料纳米相微结构和PCL高分子链在该微结构环境中的结晶成核生长特性及其影响因素.研究结果表明:杂化体系中高分子/无机组分间的微相分离尺度在纳米数量级,高分子微区的平均相畴尺寸在70nm左右,无机相形态呈现不规则的颗粒状.两相均匀分布程度与体系中组分间的氢键键合强度有关.PCL杂化后结晶度减小,对应的微晶尺寸明显改变,平衡熔点随无机组成含量的增加而下降.高分子链在晶核表面折叠形成结晶结构所需的能量增加.这一结果归因于无机非晶SiO2和键合强度的影响.