高压受限电弧等离子体发生器实验研究

电热化学发射中，等离子体发生器的放电是电能转化为热能的重要阶段。该文在自由喷射等离子体发生器实验装置上分别对不同毛细管几何参数、不同贮能水平以及不同毛细管材料等3种情况进行了放电实验研究及分析，得出了负载效率、峰值电流、平均电阻等测量参数与贮能水平和毛细管几何参数之间的关系。     

基于动态数据库的电网接线图自动生成

给出了一种用于地区电网调度中心警报处理及故障定位专家系统中,基于动态数据库的实时显 示信息自动生成系统,讨论了它的基本原理及实现方法,并对它在该系统中的优点进行了分析.     

Design and Implementation of a Novel Algorithm for Iterative Decoding of Product Codes

A novel product code iterative decoding algorithm and its high speed implementation scheme are proposed in this paper.Based on partial combination of selected columns of check matrix,the reduced-complexity syndrome decoding method is proposed to decode sub-codes of product code and deliver soft output information.So iterative decoding of product codes is possible.The fast sorting algorithm and a look-up method are proposed for high speed implementation of this algo-rithm.Compared to the conventional weighing iterative algorithm,the proposed algorithm has lower complexity while offering better performance,which is demonstrated by simulations and implementation analysis.The implementation scheme and verilog HDL simulation show that it is feasible to achieve high speed decoding with the proposed algorithm.     

“东明”轮制冷装置压缩机运行时间过长的原因分析与处理

本文从实践中介绍船舶制冷压缩机长时间运转的故障的经过、原因分析及由此总结出的预防措施，以避免今后此类故障经常发生。     

螺旋卸煤机大臂故障分析和优化设计改造

分析了选煤厂螺旋卸煤机大臂发生故障的原因，提出了螺旋卸煤机大臂优化设计改造的方案。     

模拟线性电路中故障元件存在范围的确定

为了简化模拟线性电路故障诊断定位阶段的工作量，提出了1种确定故障元件存在范围的方法.即在十分现实的K故障假设下，确定能代表电路所有元件并给出在K故障假设下的故障诊断方程的唯一解的1组元件--最优可测试元件组，使故障定位工作只局限于该组元件，而不必对电路所有元件进行.该方法构成了故障定位的第一步，且与故障定位方法无关.方法基于电路的可测试值计算和规范式不确定性组的确定，它在可测试性与不确定性组概念中具有严格的理论基础，其可测试性计算可直接从参数类型故障诊断技术中推得.     

网络的日常维护和故障抢修

概述了网络日常维护的主要内容，提出了故障抢修的对策与措施。     

浅谈铁路客车热轴故障及改造措施

探讨了铁路客车滚动轴承热轴的原因并提出了检查处理的方法及改造措施。     

SRAM的一种可测性设计

用ETCO算法对SRAM进行了内建自测试设计．首先说明了设计的原理，进而对电路中所用的各个单元电路进行了设计，主要包括地址计数器、数据计数器和BIST控制器等．设计出的电路可针对具体的故障模型设置相应的测试长度，从而获得预期的故障覆盖率．测试时不需存储正确响应，并可通过一个响应标志位表示检测的结果．可测性部分对电路硬件的开销较小，所设计的电路在工作站上已成功通过仿真，此电路可广泛应用于嵌入式SRAM，以降低电路的测试难度．     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.