全文获取类型
收费全文 | 77026篇 |
免费 | 5154篇 |
国内免费 | 15361篇 |
专业分类
化学 | 21364篇 |
晶体学 | 562篇 |
力学 | 1315篇 |
综合类 | 975篇 |
数学 | 7822篇 |
物理学 | 9565篇 |
综合类 | 55938篇 |
出版年
2024年 | 448篇 |
2023年 | 1623篇 |
2022年 | 1951篇 |
2021年 | 2491篇 |
2020年 | 1880篇 |
2019年 | 1818篇 |
2018年 | 1083篇 |
2017年 | 1619篇 |
2016年 | 1994篇 |
2015年 | 2570篇 |
2014年 | 4160篇 |
2013年 | 4349篇 |
2012年 | 4971篇 |
2011年 | 5300篇 |
2010年 | 4939篇 |
2009年 | 5680篇 |
2008年 | 7147篇 |
2007年 | 6601篇 |
2006年 | 5569篇 |
2005年 | 4630篇 |
2004年 | 4154篇 |
2003年 | 3105篇 |
2002年 | 2766篇 |
2001年 | 2382篇 |
2000年 | 2151篇 |
1999年 | 2086篇 |
1998年 | 1198篇 |
1997年 | 962篇 |
1996年 | 911篇 |
1995年 | 791篇 |
1994年 | 837篇 |
1993年 | 887篇 |
1992年 | 891篇 |
1991年 | 790篇 |
1990年 | 620篇 |
1989年 | 709篇 |
1988年 | 671篇 |
1987年 | 384篇 |
1986年 | 204篇 |
1985年 | 101篇 |
1984年 | 48篇 |
1983年 | 25篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 5篇 |
1962年 | 2篇 |
1959年 | 4篇 |
1958年 | 4篇 |
1957年 | 2篇 |
1940年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 相似文献
82.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
83.
本文用密度泛函理论(DFT)的总能计算研究了一氧化碳和氢原子在Ni(111)表面上p(2×2)共吸附系统的原子结构和电子态,结果表明CO和H原子分别被吸附于两个对角p(1×1)元胞的hcp和fcc位置.以氢分子和CO分子作为能量参考点,总吸附能为2.81 eV,相应的共吸附表面功函数φ为6.28 eV.计算得到的C—O,C—Ni和H—Ni的键长分别是1.19?, 1.96?和 1.71?,并且CO分子以C原子处于hcp的谷位与金属衬底原子结合.衬底Ni(111)的最外两层的晶面间距在吸附后的相对变化分别是
关键词:
Fisher-Tropsch反应
催化作用
Ni(111) p(2×2)/(CO+H)
共吸附 相似文献
84.
设计合成了用以检测过渡金属离子的荧光化学敏感器体系,它们是由1,8-萘二酰亚胺为荧光团,多胺衍生物为金属离子受体组成.在室温下对其光物理性质的研究中发现,在没有加入过渡金属离子时,由于体系内存在有效的光诱导电子转移过程使得荧光团的荧光被淬灭.加入过渡金属离子后,金属离子受体中的氮原子和过渡金属离子之间的配位作用阻断了光诱导电子转移过程,体系的荧光增强.不同的金属离子受体表现出了和过渡金属离子不同的配位识别能力,并且通过荧光的变化传递出受体-金属离子作用的信息. 相似文献
85.
86.
一类非线性Schr(o)dinger方程的守恒差分法与Fourier谱方法 总被引:1,自引:0,他引:1
考察了一类带导数项的非线性Schrodinger方程的周期边值问题,提出了一种守恒的差分格式,在空间方向上采用Fourier谱方法,证明了格式的稳定性和收敛性.数值试验得到了与理论分析一致的结果. 相似文献
87.
科技风险投资的管理分析 总被引:1,自引:0,他引:1
科技风险投资在追求高额投资回报的同时,也面临着巨大的风险,而企业管理已经成为现阶段影响风险投资回报大小的决定性因素.因此,风险投资机构在考察企业时,都把对科技型企业管理状况的分析放在首要位置,通过对最高管理者(创业者)的个人素质、人才资源的结构与科学性、企业管理体系、对自主知识产权的保护、对风险投资进入后法人治理结构的思路等方面进行深入了解,以评价投资所面临的管理风险,为投资决策提供依据. 相似文献
88.
89.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
90.
采用带自相互作用的夸克介子耦合模型(QMC)计算了核物质的一些性质, 得到
密度依赖的标量介子与核子的耦合常数, 并把该耦合常数的变化趋势引入到VDD和SDD中, 即把核子结构的信息引入到了QHD中. 数值结果表明核子的内部结构对核物质性质有显著影响. 相似文献