Surface Characterisation of Silicon Based MEMS

Polysilicon Microelectromechanical systems (MEMS) are the subject of intensive researches. Surface chemistry and topography of a MEMS test structure fabricated at Sandia National Laboratory, USA, were studied by means of scanning electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and atom-ic force microscopy(AFM). XPS C1, and Si2p spectra from the polysilicon components, silicon nitride sub-strate and a reference silicon wafer were compared. The results confirm the presence of a self-assembled monolayer (SAM) on the MEMS surface. An island-like morphology was found on both polysilicon and sili-con nitride surfaces of the MEMS. The islands take the form of caps, being up to 0. 5 μm in diameter and 20 nm in height. It is concluded that the co-existence of columnar growth and equiaxed growth during the low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) of these layers leads to the observed morphology and the is-lands are caps to the columnar structures.     

辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品.喇曼测试结果显示:在不同硅烷浓度(SC)条件下,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点;暗电导随晶化率也体现出不同的变化,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的;另外,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈"菜花"状和剖面为柱状的结构特征.     

铈降低在硫酸溶液中生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻的研究

应用电化学阻抗频谱法、线性电位扫描法和光电流技术研究了在4.5 mol· dm~(-3) H_2SO_4溶液中Pb-1%(at.)Ce（简称Pb-1Ce）合金在0.9 V (vs. Hg/Hg_2SO_4电极)生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻较纯铅的低的原因。实验结 果表明,Ce阻抑阳极Pb(II)氧化物膜的生长并增加其孔率,从而降低其电阻。     

铝阳极化皮膜之显微组织与电化学特性研究

利用超薄切片技术(ultramicrotomy)制作铝阳极化成箔之横截面切片,于穿透式电子显微镜(TEM)下对氧化铝介电皮膜厚度,型态,成份与微结构进行观察与分析,并探讨其与皮膜电化学特性表现之关联性.于85℃己二酸铵水溶液中进行铝阳极化成处理.当电压低于100V时,所成长之介电层为非晶质氧化铝皮膜,其电阻值随化成电压升高而增加,但介电常数不受化成电压之影响.当化成电压超过100V时,结晶状的γ′＿Al2O3开始出现,且其产生的量随电压值的提高而不断增加,结晶化的过程造成皮膜中缺陷与裂缝产生,以致皮膜电阻逐渐降低,但平均介电常数却有明显随皮膜中γ′＿Al2O3增加而升高的趋势.化成电压达到200V时,介电皮膜之结构明显可分为两层,包括内层非晶质氧化铝与外层结晶性γ′＿Al2O3;其电化学交流阻抗行为亦显示界面双电容组件特性,结晶性γ′＿Al2O3层的电阻较低,但比非晶质氧化铝层具较高电容值.     

A scanning superconducting quantum interference device microscope for room temperature samples

We have constructed a scanning low-T_c superconducting quantum interference device (SQUID) microscope, in which the SQUID is mounted on the lower end of a copper rod and cooled to liquid helium temperature. There is a 65μm thick sapphire window under the SQUID. The sample at room temperature underneath the window can be scanned to produce magnetic images. The microscope has a spatial resolution of 100－150μm and a magnetic field sensitivity of 3－60pT/$\sqrt{Hz}$ in a magnetically unshielded environment. We have used this scanning SQUID microscope to measure various room temperature samples.     

关于热红外多角度遥感扫描方向的选取问题

通过蒙特卡罗模拟回答了表征农作物行播结构特征的植株高(H)、垄宽(W)与垄间距(D)对行播作物热辐射方向性产生何种影响的问题。为了减少多角度热辐射亮度值之间的相关性,只有当扫描方向与垄向相互垂直(φ=90°)时,它的相关系数最少,有利于反演T_v与T_s。而顺垄扫描则相关系数最高,且对方位角变化敏感,不利于T_v与T_s的精确反演。     

利用扫描电镜研究PPLN的蚀刻表面

报道了用环境扫描电子显微镜观察到的蚀刻PPLN晶体的表面特征,得到的图像显示出由高压电场极化引起的PPLN表面的变化,表明极化电场不仅使晶体内部铁电畴的自发极化方向发生反转,而且改变了晶体的微观结构.     

诺贝尔物理学奖百年回顾

 （续前）１９８１年西格班（ＫａｉＭ．Ｓｉｅｇｂａｈｎ,１９１８-）因发展高分辨率电子能谱仪并用以研究光电子能谱和作化学元素的定量分析,布洛姆伯根（ＮｉｃｏｌａａｓＢｌｏｅｍｂｅｒｇｅｎ,１９２０-）和肖洛（ＡｒｔｈｕｒＬ．Ｓｃｈａｗｌｏｗ,１９２１-１９９９）因在激光和激光光谱学方面的研究工作,共同分享了１９８１年度诺贝尔物理学奖。从２０年代开始,科学家们就试图运用爱因斯坦的光电子理论,通过对光电子的研究来获取物质内部的信息。然而,由于仪器分辨率一直不高,多年来没有重大进展。     

纳米科学和技术

 一、纳米技术的诞生近几年来,一些纳级(ｎａｎｏｓｃａｌｅ)的物理量频繁见诸于报端,如纳秒(ｎａｎｏｓｅｃｏｎｄ)、纳安(ｎａｎｏａｍｐ)、纳克(ｎａｎｏｇｒａｍ)、纳米(ｎａｎｏｍｅｔｅｒ)等。其中最有魅力的是纳米。因为它关联着一门新的科学技术-纳米科学和技术,有时也称为纳米技术(ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ)。纳米是一个长度单位,一纳米(1ｎｍ)等于十亿分之一米,20纳米相当于1根头发丝的三千分之一。从具体的物质来说,人们往往用“细如发丝”来形容纤细的东西。其实,人的头发一般直径为20～50微米,并不细。     

扫描探针显微术与纳米科技

 扫描探针显微术（ＳｃａｎｎｉｎｇＰｒｏｂｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ,ＳＰＭ）是８０年代初发展起来的一类新型的表面研究新技术,其核心思想是利用探针尖端与表面原子间的不同种类的局域相互作用来测量表面原子结构和电子结构。它的出现使得纳米科技在近十年来得到了突飞猛进的发展。１．扫描探针显微术扫描探针显微术中最早研制成功的是扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ,ＳＴＭ）,它是宾尼和罗雷尔于１９８１年发明的,二人１９８６年因此被授予诺贝尔物理奖。