参数激励与晶体摆动场辐射的稳定性

寻找新光源, 特别是短波长相干光源备受关注. 本文讨论了晶体摆动场辐射作为短波长激光的可能性和必须满足的基本条件; 指出了至今尚未获得可利用的短波长激光可能不只是技术原因, 而且还有物理原因. 利用参数激励方法对这个问题进行了分析. 在经典力学框架内和偶极近似下, 引入正弦平方势, 把粒子运动方程化为具有阻尼项和参数激励项的摆方程. 利用Melnikov方法讨论了系统的稳定性, 并对系统的临界条件进行了分析. 结果表明: 系统的稳定性与其参数有关, 只需适当调节这些参数, 系统的稳定性就可以原则上得到保证. 关键词： 晶体摆动场辐射 沟道辐射 参数激励 稳定性     

Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO3 Gate Dielectric

A strained-SiGe p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors （p-MOSFETS） with higher-k LaLu03 gate dielectric was fabricated and electrically characterized. The novel higher-k （k-30） gate dielectric, LaLuO3, was deposited by molecular-beam deposition and shows good quality for integration into the transistor. The transistor features good output and transfer characteristics. The hole mobility was extracted by the splitting C-V method and a value of 2OOcm2/V.s was obtained for strong inversion conditions, which indicates that the hole mobility is well enhanced by SiGe channel and that the LaLuO3 layer does not induce additional significant carrier scattering. Gate induced drain leakage is measured and analyzed by using an analytical model. Band-to- band tunneling et~ciencies under high and low fields are found to be different, and the tunneling mechanism is discussed.     

MOSFET特性研究

本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及N MOSFET的物理结构、材料特性和制造工艺等对于N MOSFET特性的影响.     

多沟道电荷耦合器件的研究进展

介绍了两沟道和三沟道BCCD的工作,并对其实现多光谱成像的应用前景进行了分析和讨论．研究结果表明：利用不同材料制成的单片BCCD可以分别在0．5～0．83μm和0．6～1．8keV区域实现多光谱成像．     

同步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管电势模型研究

研究了同步对称双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)的沟道电势,利用表面电势边界方程联合Lambert函数推导得到了器件沟道电势的解析模型.该模型考虑了IGZO薄膜中存在深能态及带尾态等缺陷态密度,能够同时精确地描述器件在亚阈区(sub-threshold)与开启区(above threshold)的电势分布.基于所提出的双栅IGZO TFT模型,讨论了不同厚度的栅介质层和有源层时,栅-源电压对双栅IGZO TFT的表面势以及中心势的调制效应.对比分析了该模型的计算值与数值模拟值,结果表明二者具有较高的符合程度.     

基于微机电系统的高深宽比气相微色谱柱

色谱柱的微型化是实现气相色谱仪微小型化必须要解决的关键问题之一。该文基于微机电系统技术设计制作了一种具有高深宽比微沟道的气相微色谱柱。通过COMSOL软件进行仿真分析,得出气相微色谱柱具有均匀的流速场分布。测试结果表明,该气相微色谱柱成功分离了烷烃类气体混合物及苯系物,其理论塔板数可达14028 plates/m,C7~C8的分离度最高,为10.82。这种气相微色谱柱由于具有体积小、能耗低、分离性能好等优点,可望在微小型气相色谱仪上获得应用。     

MBE-GaAs/Si的背散射沟道分析

对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10~(14)-7×10~(15).cm~(-2).退火采用红外瞬态退火(850℃,15s)及白光退火(1050℃,8s).背散射沟道分析采用4.2MeV~7Li.实验表明,注入结合退火是改善 GaAs 外延层晶体质量的一种有效方法.注入剂量过大,由于正化学配比遭到破坏,外延生长终止.     

SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管（SiGe SOI BMHMT）构成适合在低电压下工作的新型集成电路，该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能，对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟，结果表明，SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高，阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管，使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。     

带电粒子与超晶格相互作用及其超高能粒子识别

讨论了非沟道粒子与晶体的相互作用及其渡越辐射, 并将渡越辐射同沟道辐射进行了比较, 结果表明, 渡越辐射对沟道辐射的贡献主要是在长波区域使沟道辐射的本底增强; 由于超晶格是由两种不同介电性能的材料交替生长而成的多层薄膜结构, 它的渡越辐射比较强. 正是这个特点, 可望利用超晶格的渡越辐射来识别超高能粒子.     

短沟道MOS器件一些工艺

组成MOS大规模集成电路的MOS器件向着微型化方向发展。但是器件尺寸缩小之后,出现了短沟道效应。为了避免短沟道效应的发生,自73年以来提出了各种各样的工艺技术。本文简略讨论了目前已提出的一些短沟道MOS器件工艺的基本过程及其特点,介绍了已达到的技术水平,指出V—MOS(主要