温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大.     

Tetragonal Distortion of InN Thin Films by RBS/Channeling

Rutherford backscattering and channeling spectrometry （RBS/C） are used to identify the crystalline quality （Xmin = 4.87%） Of an InN thin film as a function of depth, and make a non-destructive quantitative analysis of the structure, in order to analyze the tetragonal distortion of the InN thin film at the depth determined.     

Modelling of Hot-Electron Energy in Short-Channel MOSFETs by Electrical Method

Channel hot-electron （HE） energy in short-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOS-FETs） is estimated based on electrical characterization. The HE assisted gate leakage is monitored, and its energy dependent tunnelling probability is calculated, from which the excess energy of HE is estimated. The credibility of the proposed method is supported by the experimental and theoretical results, and its accuracy in ultra-small-feature-size device application is also discussed.     

大功率脉冲氙灯的放电研究

利用转镜式高速摄影机分幅摄影技术,对脉冲氙灯放电中的沟道扩展和熄灭过程进行了摄影和分析.放电时沟道扩展速度很快,呈树枝状,沟道熄灭过程长于扩展过程,且呈斑状.同时研究了预电离放电对沟道扩展和熄灭过程的影响,当预电离存在时,脉冲氙灯放电的沟道扩展的时间要长.结果表明,预电离有利于放电沟道的形成,提高氙灯的发光效率,且有助于减小主放电能量对管壁材料的冲击.     

铝镁尖晶石中He离子注入引起损伤的退火行为研究

利用卢瑟福沟道背散射技术结合表面的原子力显微分析,对注He的铝镁尖晶石晶体的晶格损伤及表面形变随退火温度变化的关系进行了研究.结果表明,不同注入剂量的样品中晶格损伤和表面形变表现出显著不同的退火行为.分析认为造成损伤演化的这种差异与注入的He原子在晶体中不同的聚集状态有关. 关键词： 离子注入 He 尖晶石 卢瑟福沟道背散射     

A Comparison of GaN Epilayers with Multiple Buffer Layers and with a Single Buffer Layer Grown on Si（111） Studied by HRXRD and RBS/Channeling

Two hexagonal GaN epilayers （samples A and B） with multiple buffer layers and single buffer layer are grown on Si （111） by metal-organic vapour phase epitaxy （MOVPE）. From the results of Rutherford backscattering （RBS）/channeling and high resolution x-ray diffraction （HRXRD）, we obtain the lattice constant （a and c） of two GaN epilayers （aA = 0.3190 nm, cA = 0.5184 nm and aB = 0.3192 nm, CB = 0.5179 nm）, the crystal quality of two GaN epilayers （ ХminA=4.87%, ХminB =7.35% along 〈1-↑213〉 axis） and the tetragonal distortion eT of the two samples along depth （sample A is nearly fully relaxed, sample B is not relaxed enough）. Comparing the results with the two samples, it is indicated that sample A with multiple buffer layers have better crystal quality than sample B with a single buffer layer, and it is a good way to grow GaN epilayer on Si （111） substrates using multiple buffer layers to improve crystal quality and to reduce lattice mismatch.     

宽温区体硅MOST阈值电压温度特性的研究

本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上,详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温芳特性的影响,提出了２９８－５２３Ｋ宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的γ－α因子温度非线性简化模。该模型的模拟结果与高温ＭＯＳ器件模拟软件ＴＨＭＯＳ的数值模拟结果吻合得很好。     

砷化镓金属—氧化物—半导体器件工艺

<正> 一、引言众所周知,用GaAs制作MOSFET,在速度方面比用Si要优越得多,这是因为电子在GaAs中的迁移率是在Si中的五倍以上,而且GaAs的禁带宽度比Si的宽。早在1967年,已做出了几百兆周的GaAs MOSFET[1,2]。但是,后来的发展很慢。其根本原因在于很难做出具有良好界面性能的缘绝层     

808 nm大功率半导体激光器阵列的优化设计

采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明：引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。