基于扇面散射元的光子晶体禁带研究

基于对光子晶体禁带影响因素的研究,设计了扇面这种新型的散射元。利用平面波展开法,在0.1THz的工作频率下,采用二维六边形晶格结构,对这种新型散射元光子晶体的禁带特性进行模拟计算。对介质柱型和空气孔型两种晶体结构,分别分析了横向电场(TE)模式和横向磁场(TM)模式的绝对禁带宽度和相对禁带宽度随散射元结构参数变化的关系,依据相对禁带宽度,找到最优化的模型。     

减缓轴承套圈沟道磨削烧伤的探讨

轴承套圈沟道磨削加工时产生的高温会造成磨削工件表面局部升温而形成不均一的组织和硬度,从而导致轴承质量合格率大幅下降.论文探讨了砂轮速度与工件速度之比（a）、砂轮修整时间以及磨削冷却措施对轴承套圈沟道表面烧伤的影响.试验结果表明：当速度比a处在45～55时,可以减少烧伤并能获得较好的表面质量;采用较短的砂轮修整时间对减少烧伤有利,并对零件的表面粗糙度影响不大;通过强化磨削加工区的冷却能有效降低工件的温度,进而显著缓解轴承套圈沟道的烧伤程度.     

大通县水土保持淤地坝建设的几点经验

大通县开展水土保持工作在科学研究、小流域治理和农田基本建设方面取得了前所未有的成绩,山城景阳沟坝系建设示范工程,及时分析总结坝系建设的经验和问题,并进入了以小流域为单元的综合治理工程和坝系工程为示范建设的新阶段,我县景阳沟流域坝系示范建设正在向多层次、多目标、多功能、高效益的综合开发体系发展,为青海省水土保持工作的开展积累了可供借鉴的宝贵经验。     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了对纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响进行研究,该文在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性

采用自组装的方法制备99%高纯度半导体碳纳米管平行阵列条带,以金属钯和钪为非对称接触电极制备碳纳米管（CNT）薄膜晶体管（TFTs）器件. 主要研究不同沟道长度碳纳米管薄膜晶体管器件的电输运特性和红外光电响应特性,分析了其中的载流子输运和光生载流子分离的物理机制. 我们发现薄膜晶体管器件的电学性能和光电性能依赖于器件沟道长度（L）和碳纳米管的平均长度（L_CNT）. 当沟道长度小于碳纳米管的平均长度时,器件开关比最低;当沟道长度超过碳纳米管平均长度时,随着沟道长度的增加,器件开关比增加,光电流减小.相关研究结果为高纯碳纳米管薄膜晶体管器件在红外光探测器方面的进一步应用提供参考依据.     

电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光

用热蒸发在玻璃衬底上制备了多晶LiF薄膜，研究了由电子束照射产生的有源沟道的室温宽带光致发光特性，研究表明，室温下有源沟道F2和F3^ 色心具有较大的光增益和折射率增量，有望实现可见波段的可调谐有源光波导器件。     

飞兆半导体推出4.5V-20V IntelliMAX 负载开关

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductot)推出全新的IntelliMAX~(TM)系列器件FPF250X,其输入电压为由4.5V至20V。这些高度集成的负载开关针对潜在的过流损坏提供全面的保护功能,过流损坏会对工业、电信、医疗、笔记本电脑及消费应用等低功耗设计造成影响。FPF250X器件将带有热关断、受控导通和欠压闭锁等保护和控制功能的0.23欧姆限流N沟道MOSFET,集成在节省空间的一个SOT23封装中,     

宽温区体硅MOST阈值电压温度特性的研究

本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上,详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温芳特性的影响,提出了２９８－５２３Ｋ宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的γ－α因子温度非线性简化模。该模型的模拟结果与高温ＭＯＳ器件模拟软件ＴＨＭＯＳ的数值模拟结果吻合得很好。     

808 nm大功率半导体激光器阵列的优化设计

采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明：引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。