正弦平方势与带电粒子的准沟道辐射

在经典力学框架内,描述了带电粒子自发辐射的频谱分布与辐射频率;利用正弦平方势讨论了带电粒子准沟道辐射,指出了准沟道辐射与系统的旋转周期解相联系;分析了系统的相平面特征和准沟道粒子进入混沌的可能途径. In the general case the spectral distribution and the radiation frequency are derived for the spontaneous radiation of charged particles. The quasichanneling radiation is described by using a sine square potential, and point out that the quasichanneling radiation is related directly to the rotation periodic solution; The properties of the phase plane and the possible model approaching to chaos for the system is analyzed.     

旋转对流下铜在微沟道中的电沉积

将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2～3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.     

砒砂岩地区典型小流域支干沟道特征要素关系初步分析

为了研究砒砂岩地区沟道特征要素与侵蚀特性,于2005年对内蒙古鄂尔多斯市东一支沟内支干沟道的沟长、沟深和沟底宽等特征要素进行了详细测量.通过对实测资料的分析,发现流域面积是影响支干沟道各特征要素的主要因素,并分别建立了沟道长度、平均沟深、平均沟底宽与流域面积之间的关系.验证结果表明,这些关系可应用于邻近相似小流域支干沟道特征要素的计算.     

STI应力对90nm SONOS存储器的影响分析

随着CMOS工艺按比例缩小到90 nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重.通过实验和TCAD仿真研究了STI应力对一种SONOS结构的90 nm非易失存储器的影响.实验和仿真结果表明由于受到STI压应力的作用,靠近STI的SONOS边角存储单元和远离STI的中心存储单元存在阈值电压分布不一致的问题.为了减小STI应力对边角存储单元的影响,分别采用STI recess和STI Si3N4 liner两种工艺去减缓STI产生的压应力.TCAD仿真结果表明采用STI Si3N4 liner工艺后边角存储单元受到的STI压应力比原有的基本工艺降低了20%以上.     

Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究

在蓝宝石衬底上通过金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition，MOCVD)方法外延生长的GaN薄膜具有良好的结晶品质，χ_min达到2.00%. 结合卢瑟福背散射/沟道(Rutherford backscattering/channeling，RBS/C)和高分辨X射线衍射(high-resolution X-ray diffraction，HXRD)的实验测量，研究了不同剂量和不同角度Mg⁺注入GaN所造成的辐射损伤. 实验结果表明，随注入剂量的增大，晶体的辐射损伤也增大，注入剂量在1×10¹⁵atom/cm²以下，χ_min小于4.78%，1×10¹⁶atom/cm²是Mg⁺注入GaN的剂量阈值，超过这个阈值，结晶品质急剧变差，χ_min达到29.5%；随机注入比沟道注入的辐射损伤大，且在一定范围内随注入角度的增大，损伤也增大，在4×10¹⁵atom/cm²剂量下偏离〈0001〉沟道0°，4°，6°，9°时的χ_min(%)分别为6.28，8.46，10.06，10.85；经过700℃/10min+1050℃/20s两步退火和1000℃/30s高温快速退火后，晶体的辐射损伤都有一定程度的恢复，而且1000℃/30s高温快速退火的效果更好，晶体的辐射损伤可以得到更好的恢复. 关键词： GaN 卢瑟福被散射/沟道 高分辨X射线衍射 辐射损伤     

用新型核技术——沟道离子束合成法研制稀土硅化物

新型核技术－沟道离子束合法，在研制稀土金属硅化物的过程中被发展和采用，沟道离子合成法比传统的注入方法有很多优点，背散射沟道分析，电镜分析和Ｘ射线衍射测试结果表明，生成的稀土硅化物具有很好的结晶品质和很高的相稳定性。     

用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn0.9 Mg0.1 O/ZnO异质结的弹性应变

利用卢瑟福背散射/沟道技术对射频等离子体辅助分子束外延法生长在蓝宝石衬底上的ZnO/Zn0.9Mg0.1O/ZnO异质结进行了组分分析,并得到了异质结弹性应变随深度的变化,应变由界面向表面逐渐释放,并由负变正,且在ZnO与Zn0.9Mg0.1O界面处轻微增大.负的应变是由于ZnO与衬底的晶格失配和热失配,而逐渐变为正值是Zn0.9Mg0.1O与ZnO的晶格常数差异及弹性应变的逐渐释放所致.     

轴承沟道精密自动化检测技术的研究

介绍了以光栅位移传感器和光电角度编码器为输入设备，用计算机对测量过程进行了控制和数据处理的检测轴承外圈内滚道几何参数的新方法。通过与三坐标测量机的对比实验，证明本方案的切实可行。     

微沟道热沉的泵压极限

本文得到微沟道热沉维持最佳致冷效果的泵压极限。     

反比相关的双曲余弦平方势与电子的面沟道辐射

带电粒子在晶体沟道中的运动行为决定于粒子-晶体相互作用势.常用的粒子晶体相互作用势有Lindhard势、Moliere和正弦平方势.当超相对论电子沿着晶体的低晶面指数方向入射时,电子和晶体之间的相互作用势可用反比相关的双曲余弦平方势描写.在量子力学框架内,利用这一相互作用势成功地将系统的Schrodinger方程化为超几何方程,从而简化了系统本征值和本征态问题的计算和讨论.考虑到质量的相对论效应和频率的Doppler效应,导出了实验室坐标系中电子的能级分布和辐射谱分布.并以电子的Si(110)面沟道辐射为例,选定一组与入射粒子有关的参数和一组与晶体有关的参数,计算了能量为E=0.5GeV的电子在低位能级之间的跃迁,导出了电子面沟道辐射能量ΔE=49.1MeV,得到了与实验符合的结果.