高电荷态Ar^q＋与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程，得到了多组实验测量电荷交换截面数据，讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系，并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上，对实验现象做了合理的解释。     

制备介孔复合环境材料的酸洗刻蚀工艺

探索了一种制备介孔复合环境材料的方法--破坏式造孔与有机复合相结合,使最终产品可大量吸附污染水体中的各种污染物并具有一定的杀菌功能.该方法通过酸洗刻蚀,达到了去除原材料中的杂质和刻蚀孔径的目的,所制备的中间产品24h吸湿率为原材料的2倍,染料吸附量为原材料的1.6倍.     

Chemical Potential Dependence of the Dressed-Quark Propagator in a Simple Confining QCD Model

Based on the Dyson-Schwinger approach, a method for obtaining the chemical potential dependence of the dressed quark propagator in the ‘Nambu-Goldstone‘ and the ‘Wigner‘ phase is developed. The bag constant in the presence of the non-zero chemical potential is analysed.     

310SS在KCl盐膜下高温空气中腐蚀机理

研究了310SS在表面覆有KCl盐膜时于750-800℃下的腐蚀，结果表明，750℃时在固态氯化物盐膜下，310SS加速腐蚀主要按“活化氧化”机理进行，而在熔融态盐膜下尚受到800℃熔盐的影响，另外，经长期时效处理后，310SS除均匀腐蚀外，沿晶界σ还发生了择优腐蚀，从热力学和动力学两方面讨论了材料的加速腐蚀机理。     

电磁相分离法制备自生表层复合材料

采用电磁相分离法制备出以初生富铁相（AlSiFeMn复杂金属间化合物）为增强相，表层硬度为HB62．25，基体硬度为HB59．00的Al-11.70%Si-1.20?-1.50%Mn合金自生表层复合材料，增强相的显微硬度为HV 842。87，大小为20－80μm，该表层复合材料同基体材料相比，耐磨性提高了57．41％，所用方法工艺过程简单，成本低，为解决材料在服役环境中不同部位，不同性能的问题提供了新途径。     

15C的中子晕结构研究

实验测量了83A MeV ^14,15C的核反应总截面(σ_R)及¹⁵C产生^14,15C和¹⁴C产生¹³C的动量分布(P_//). 分析得到了¹⁵C产生¹⁴C和¹³C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而¹⁴C产生¹³C的FWHM为195±21MeV/c. 从¹⁵C和¹⁴C产生¹³C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而¹⁵C产生¹⁴C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到¹⁵C的σ_R比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P_//和σ_R进行了探讨. P_//和σ_R的分析结果同时显示¹⁵C的最后一个中主要处于s_1/2态, 具有中子晕结构.     

两水相体系中聚乙二醇浓度的测定

1 引言 利用两水相体系作为生物反应器进行生物转化反应,或者提取生物大分子,近年来受到国内外关注。聚乙二醇(PEG)-葡聚糖(Dextran)是最常用的两水相体系,在实际应用中,了解上下两相的组成是十分必要的,因此,建立合适的测定两水相体系的方法是研究和应用两水相体系的基础工作。本文用分光光度法测定PEG     

饱和土中波传播的二相动力分析模型

将饱和土作为二相介质,考虑土骨架和孔隙流体之间的摩阻力,建立了饱和土中一维压缩波传播的二相动力分析控制微分方程,采用有限差分法求解。该模型可以计算地表面爆炸冲击荷载作用下饱和土中波的传播和波在不动障碍上的反射问题。该模型可考虑饱和土土体的非线性塑性力学性质及土性随深度变化或土介质的分层情况。     

中能区反质子与原子核散射的极化度

在已获得的中能区反质子与核的中心势的光学势基础上,把光学势扩大到包含自旋轨道耦合势.在反质子能量为179.8,294.8和508MeV各情况下,分别计算和分析与~(12)C靶核的微分截面(dσ)/(dΩ),极化度P(θ)和自旋转动函数Q(θ).在与极化度的实验比较中,得到中能区普遍形式的反质子光学势.     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。