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51.
王慧强 《现代科技译丛(哈尔滨)》1996,(4):35-40
磁盘阵列是用于满足对存储系统性能和高可靠性要求的基本工具。通过适当地选择数据组织方法,能使磁盘阵列适用于特定的环境。本文从数据组织方法及性能和可靠性权衡地磁盘阵列进行较深入全面的讨论。 相似文献
52.
四溴双酚A锑铝双金属化合物的合成及其阻燃性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以四溴双酚A(TBA)合成了在水和空气中稳定的四溴双酚A合锑铝双金属化合物(TBASA).通过IR、1HNMR和元素分析予以表征,并研究了其对聚乙烯(PE)和聚环氧乙烷(PEO)的阻燃性能.结果表明,这种分子中含有溴、锑和铝的化合物,对聚乙烯和聚环氧乙烷等高聚物材料有高的阻燃性能与消烟效果. 相似文献
53.
采用单级A/O程序复合膜生物反应器(HSMBR)处理高氨氮废水,研究了在低DO浓度下系统对有机物、氨氮和总氮的去除效率.研究结果表明:在低DO浓度下,COD,氨氮的平均去除率分别为94.4%和92.8%.由于进水COD/TN比仅为2.01,则使得总氮平均去除率仅为69.4%,但是当系统亚硝化累积率从60.5%~67.1%提高到83.5%~86.4%时,系统总氮去除率提高了17.7%.另外,DO在0.5~1.0 mg·L-1时,TN去除率为69.4%,亚硝酸盐氮累积率在60.5%~89.5%之间,可见维持低DO浓度可以实现亚硝酸型同时硝化反硝化. 相似文献
54.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
55.
文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400~700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1~2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值. 相似文献
56.
57.
58.
在《建筑抗震设计规范(GBJ11-89)》中与底层框架砖房有关的条文规定和大量实际工程设计的基础上,对底部2层框架砖房的抗震设计问题进行探讨。 相似文献
59.
采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2.0V,半寿命提高了12.7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现,另一方面,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力,提高电子注入水平。 相似文献
60.
实践说明,由于改性沥青的使用,有效地提高了沥青混凝土的使用性能,能显著延长路面寿命、降低噪声、提高行车舒适性和安全性,随着改性沥青研究的深入,改性沥青的应用推广必将有广阔的前景. 相似文献