金刚石薄膜场发射进展

评述了国际上金刚石薄膜场发射的研究进展和存在的问题，主要包括金刚石薄膜场发射现象，场发射的可能机制和改善场发射的措施。     

透视“纳米”

目前,在世界范围内正兴起一股“纳米热”,以美国、英国、日本等发达国家为首,都在争夺纳米科技的制高点。纳米技术被认为是对21世纪诸多高新技术的产生和发展有着极为重要影响的一门新兴学科。现在市场上已经出现了纳米衣服、纳米涂料、纳米化妆品、纳米冰箱、纳米洗衣机等纳米产品,最近借着抗击“非典”的机会,市场上还出现了纳米口罩。中国科学院院士钱学森曾预言:“纳米左右和纳米以下的结构将是下阶段发展的特点,会是一次技术革命,因而将是21世纪的又一次产业革命”。那么,纳米是一种什么样的技术?为何会有如此大的魔力?     

MCM——多芯片组件

针对电子系统中由传统的封装与互连工艺引起的互连信号延迟,串扰噪声,电感／电容耦合以及电磁辐射等问题,介绍一种新型的多芯片组装技术。     

GaN基异质结构效应晶体管功率器件

文章从晶体结构和微电子学理论出发，介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应，二维电子气(2DEG)的源、产生，极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法；列举了三种典型的电流崩塌效应，介绍了其成因和抑制的方法，并对各种方法进行了比较；阐述了栅极场调控电极对GaN基器件电参数的影响，解释了提高器件击穿电压的原理，并对场调控电极对器件功率特性的影响进行了说明，从而指出利用场调控电极的GaN基HFET将会在微波高功率方面有很大的发展前途．     

超越摩尔定律

 1965 年4 月19 日,英特尔公司创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）在Electronics Magazine 发表“让集成电路填满更多的组件”一文,预言半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。这被后人称为摩尔定律。     

跑道状场发射结构研究

作者设计了一种新颖的单栅和双栅跑道状场发射结构．该结构可提供好的阵列均匀性和大的场发射电流密度．双栅机构可提供小的开启电压．实验结果表明单栅结构的开启电压近似为１００Ｖ，而场发射电流密度近似为２．４Ａ／ｃｍ２，这是火山口状场发射结构的１２倍．数值模拟显示双栅结构的开启电压较之单栅结构减小了３０％．     

物理学研究与微电子科学技术的发展

回顾了微电子学的诞生和微电子技术的发展历史,展望了微电子技术未来的发展趋势.在微电子技术诞生和发展过程中具有一些里程碑式的发明,如晶体管、集成电路、集成电路平面工艺、MOS器件、微处理器、光刻技术、铜互连工艺的发明等,其中物理学研究和突破起了关键的基础作用.在社会需求、物理学研究和技术进步的推动下,微电子技术一直并将继续以特征尺寸缩小、集成度提高的模式,按摩尔定律预测的指数增长率发展.微电子技术的发展,不仅为物理学的研究提供了崭新的技术基础,而且为物理学研究展现了更为广阔的空间.但随着器件特征尺寸逐渐缩小并逼近其物理极限,微电子技术的发展将受到来自于材料、工艺和物理基础等方面的挑战,并呈现出多维发展的趋势,这些挑战涉及了微电子学与物理学的共同理论基础,需要二者互相锲合,期待新的突破.     

真空微电子器件的数值模拟计算与分析

本文用数值方法和场致发射的福勒—诺德海姆公式计算了薄膜场致发射阴极(TFFEC)的伏安特性和其应用于平板显示系统的空间扩展特性以及格雷型场效应管的时间响应特性 通过计算得到了TFFEC在不同失端和表面形状情况下的伏安特性曲线,并分析了阴极结构的一致对其发射的均匀性和稳定性的影响。应用TFFEC的新型平板显示系统,其空间分辨能力与阳栅距、栅极电压有很大关系。格雷型场效应管具有皮秒级的响应时间。     

介观尺寸金属点接触中的量子化电导

用三维-准一维-三维（3D-准1D-3D）模型，描述扫描隧道显微镜探头与金属间的点接触，研究这种微结构的电子输运特性．利用单电子近似和传输矩阵方法求解三维体系的电子波函数，并用量子力学方法计算电导，得出了以2e²/h和2×2e²/h为单位的量子化电导．对电导随收缩区的横截面积和延伸量的变化规律进行了研究 关键词：