微机电系统的发展

始于20世纪60年代的微机电系统(MEMS)是在微电子技术基础上产生和发展起来的多学科交叉的前沿科学研究领域，是21世纪的核心技术之一．介绍了MEMS的形成、发展、基本研究内容、流行设计分析软件和主要制造工艺应用及微器件、微系统的种类和应用现状．     

分子电路

简要介绍了分子电子学的科学意义、发展过程、2001年一些主要的进展、存在问题和今后的发展趋势。     

背照式像素电学串扰及其抑制

为改善背照式像素电学串扰问题,建立了小尺寸背面照射像素间的串扰物理模型,提出了一种应用于背照式像素的防串扰结构。该结构基于正面照射像素隔离原理,在相邻像素间器件层背面插入沟槽隔离区域。仿真结果显示,短波串扰构成了背照式像素中最为严重的串扰源;相邻像素经该结构优化后,可有效隔离背表面中短波串扰电荷;当沟槽深为3μm时,相邻像素串扰量可由32．73％降至8．76％;当沟槽深为4μm时,相邻像素可实现电学串扰的完全抑制。此外,量子效率也会因该结构的使用而得到相应改善。     

打通微电子领域的神经系统——记北方工业大学姜岩峰教授

电子学以应用为主要目的,是一门主要研究电子的特性和行为以及电子器件的物理学科。作为其分支学科,微电子技术是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术,包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等,是微电子学中的各项工艺技术的总和。其发展水平和产业规模已经成为一个国家经济实力的重要标志。北方工业大学姜岩峰教授就是一位耕耘在微电子领域的学者。     

Shapiro effect in mesoscopic LC circuit

In this paper we consider the movement of an electron in the single electron tunnel process through a mesoscopic capacitor. The results show that, due to the Coulomb force, there is a threshold voltage V_t in the mesoscopic LC circuit. When the external voltage is lower than the threshold voltage, the tunnel current value is zero, and the Coulomb blockade phenomenon arises. Furthermore, considering that the mesoscopic dimension is comparable to the coherence length in which charge carriers retain the phase remembrance, a weak coupling can be produced through the proximity effect of the normal metal electrons of both electrodes of a mesoscopic capacitor. By varying the external voltage, we can observe the Shapiro current step on the current－voltage characteristic curve of a mesoscopic LC circuit.     

同心圆环形场发射阵列阴极的粒子模拟

模拟了同心圆环形发射阵列阴极的特性，采用时域有限差分法计算了电场，利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ方程计算锥尖处的发射电流，利用Ｌｏｒｅｎｔｚ方程计算了电子的运动轨迹，得到了微阴极电子运动轨迹，相空间图以及电子束的发散度，亮度等，结果表明该结构能形成良好的聚焦电子束。     

高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性

采用电场辅助电化学沉积法,在室温下成功的在阳极氧化铝模板（AAO）内制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线。用X射线衍射仪（XRD）、隧道电子显微镜（TEM）及选区电子衍射（SAED）对样品的形貌、结构进行分析表明,所得样品是高择优取向的单晶,纳米线,长约几到几十微米,平均直径约70nm。X射线光电子能谱（XPS）进一步证实掺杂硫原子的存在,并分析其生长机制。用荧光光谱仪（PL）分析了样品的发光特性,发现除了典型的ZnO纳米线荧光光谱外,还有紫光和蓝光发光。     

微电子实验教学改革探索

介绍了微电子学专业的历史、现状和专业实验现状,详细阐述了微电子学专业实验体系的建立和内容。     

利用约束刻蚀剂层技术提高硅的刻蚀分辨率

高分辨率刻蚀技术对于微机械及微电子器件的加工具有十分重要的意义，而硅是其中极为重要并占统制地位的材料，近年来，扫描电化学显微镜用于表面加工的研究颇受注目，然而，ＳＥＣＭ刻蚀分辨率往往因为刻蚀剂的横向扩散而受到限制。最后，田昭武等提出一种可进行高分辨率微加工的新方法－－约束刻蚀剂层技术，可使刻蚀反应具有高度的距离敏感性，刻蚀分辨率得到极大改善。我们利用ＣＥＬＴ技术刻蚀硅表面，以６０μｍ及１００μｍ直     

第17届国际集成铁电会议

由复旦大学微电子学系承办的第17届国际集成铁电会议（ISIF2005）于2005年4月17—20日在上海召开。近400位来自17个国家和地区的专家、学者参加了会议。严隽琪副市长出席了大会开幕式并作了讲话，对国际集成铁电会议第一次在中国召开表示衷心的祝贺，复旦大学王生洪校长致了欢迎词。