弱拓扑和强可容许拓扑之间的一个关系

本文对局部凸空间X及其对偶X′，建立了弱拓扑σ（X，X′）和强拓扑β（X，X′）之间的一个新关系，改进了有关（X，X′）－－可容许拓扑全体上的不变性结果。     

四阶非线性边值问题解的存在性与上下解方法

该文讨论四阶常微分方程边值问题u^(4)(t)=f(t,u,u″), t∈［0,1］,u(0)=u(1)=u″(0)=u″(1)=0解的存在性, 其中f(t,u,v):［0,1］×R×R→R为Carathéodory函数. 在不限制f关于u,v的增长阶, 不假定f关于u,v的单调性的一般情形下, 用上下解方法获得了解的存在性结果,并讨论了单调迭代求解的有效性.     

电子束驱动的回旋激射不稳定性

对弱相对论性电子束驱动的回旋激射(maser)不稳定性的一般理论作了详细讨论.对在获得增长率实用表达式过程中若干解析表达式的推导与细节做了仔细的补充讨论和说明，还增加了增长率的近似表达式，并由此得到了回旋激射不稳定性主要特征的解析分析以及与精确计算的比较，使整个理论有一个完整的描述.侧重解析讨论，也提供了部分一般性的数值计算结果. 关键词： 回旋激射不稳定性 弱相对论性电子束 增长率     

Hilbert空间上一类复合集值映射的单调性

本文在Hilbert空间中讨论复合集值映射的单调性.文章首先给出集值映射及单调集值睫射的概念,然后论证了线性复合集值映射的单调性,最大单调性.     

具有余维一准双曲分解的极小歧变集

研究了具有余维一准双曲分解的极小歧变集的动力学行为     

凸合成模糊对策的模糊稳定集

本建立了凸合成模糊对策的模型，并得到了凸合成模糊对策的模糊稳定集，可由子对策的模糊稳定集表达出来。从而解决了凸合成模糊对策的解的结构问题。     

中国邮路问题的一个解法

本给出中国邮路问题的一个解法。虽然它仍只是初始方案，但因考虑了问题的足够信息，因而这种方案至少拉近了与最优解的距离。     

障碍拟阵图

Let G be a simple graph and T={S :S is extreme in G}. If M(V(G), T) is a matroid, then G is called an extreme matroid graph. In this paper, we study the properties of extreme matroid graph.     

微分代数多项式系统的可解集

本文对一般微分代数方程给出了几类可解集的概念，并讨论了多项式微分代数方程的可解集，得到子多项式系统具有唯一解。特别是有多于一个的解的条件，并得到了低次多项式在一定意义下的充分必要条件。     

Pyroelectricity and Spontaneous Polarization in [111] Oriented 0.955 Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-0.045PbTiO3 Single Crystals

We report that the measurements of the pyroelectric current of the pre-poled [111]-oriented 0.955 Pb（Zn1/3Nb2/3） O3-0.045 PbTiO3 （PZN-4.5%PT） single crystals can shed some light on the phase transition and spontaneous polarization characters of this material in a similar way to measures of remanent polarization and dielectric properties. The pyroelectric current is measured and the corresponding spontaneous polarization is calculated as a function of temperature with various poling fields added during cooling the sample from 200℃ to room temperature. Critical electric field of 0.061 k V/cm is found to be essential to induce the intermediate ferroelectric orthorhombic phase between the ferroelectric rhombohedral and tetragonal phases. Below the critical field, the polarization increases almost linearly with the increase of poling field. At the critical field, the polarization at 30OC increases abruptly from 14μC/cm^2 for a poling field of O.06kV/cm to 29.5μC/cm^2 for a poling field of 0.061 kV/cm, and afterwards, increases slowly and saturates to 31 μC/cm^2 for poling fields beyond 0.55 kV/cm.