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121.
122.
为了解决传统两单元级联H桥在正负反向层叠载波移幅脉宽(POD-PWM)调制策略下,存在输出电平数少且谐波含量高的问题,提出了一种两单元级联H桥九电平五开关逆变器新型拓扑结构和改进型POD-PWM倍频调制策略.为了消除两个单元之间功率不均衡的问题,在改进型POD-PWM倍频调制策略的基础上,采用1/2输出电压周期循环交换两个单元开关管驱动信号的方法.仿真及实验研究证明了上述理论分析的准确性和切实性. 相似文献
123.
高速开关电容阵列(SCA)具有高速采样、低功耗的特点,基于SCA的高速波形数字化是目前高精度时间测量的一个重要研究方向。为此,我们开展SCA芯片的研究,目前已设计完成原型ASIC设计,并正在进行后续版本的改进设计。为便于未来多版本ASIC的测试和评估,需设计具有一定通用性的数字读出模块,本论文工作主要介绍此模块的设计工作以及相应的数据读出软件。数字读出模块基于FPGA实现对待测ASIC的控制、配置及数据读出,采用DDR3片外存储芯片,使用USB3.0等接口进行数据传输;上位机软件基于Python3.7设计,实现了数据采集与波形绘制等功能。目前已使用设计完成的数字读出模块对第2版SCA ASIC进行了初步的测试,测试结果表明,此读出模块工作正常,且SCA芯片输出结果符合预期。 相似文献
124.
合成了两种新的金属双噻吩类复合物:(苄基三乙基铵)双(1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮-4,5-二巯基)-金(BTEAADT)和(苄基三乙基铵)双(1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮-4,5-二巯基)-镍(BTEANDT).采用Z扫描方法,在皮秒脉冲下,分别测试了两种材料的乙腈溶液在532和1064nm的三阶非线性光学特性.Z扫描的结果表明,BTEAADT的乙腈溶液在532nm具有反饱和吸收效应,在1064nm非线性吸收效应可以忽略且在两种波长都有自散焦效应,三阶非线性折射率为负值.BTEANDT的乙腈溶液在532nm非线性吸收效应可以忽略,在1064nm具有饱和吸收效应且在两种波长都有自聚焦效应,三阶非线性折射率为正值.分析了造成这种差异的原因.经过计算得到了两种材料在532和1064nm的三阶非线性折射率,三阶非线性吸收系数,三阶非线性极化率和超极化率.BETAADT的非线性折射率在532nm为-1.685×10-18m2·W-1,在1064nm为-1.459×10-18m2·W-1;BTEANDT的非线性折射率在532nm为1.452×10-18m2·W-1,在1064nm为7.311×10-18m2·W-1.两种材料的三阶非线性吸收系数,三阶非线性极化率和超极化率的数量级分别是10-11m·W-1,10-13esu和10-31esu.结果表明这两种材料在非线性光学领域有潜在的应用价值. 相似文献
125.
使用聚酰亚胺(PI)作为柔性有机薄膜晶体管(OTFT)的衬底,通过掺入钛酸锶钡(BST)纳米颗粒来提高PVP聚合物栅介电层的电容,再使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来修饰介电层,改善介电层薄膜的质量和性能,从而降低柔性OTFT的阈值电压,提高电流开关比和迁移率.测试结果表明,优化后的柔性OTFT阈值电压为-2.5V,电流开关比大于104,迁移率为0.0703 cm2/(V·s).器件在3 mm弯曲半径下依然可以正常工作,电流开关比保持在104级别. 相似文献
126.
张健 《辽宁师专学报(自然科学版)》2006,8(3):100-101
温场自动测试系统是集计算机技术、电子技术、自动测试技术为一体的自动化温场测试系统,它能够完成对环境试验设备、烘箱、恒温室温场、工业电炉等温度均匀性的自动化测试. 相似文献
127.
128.
介绍了面向Z箍缩驱动聚变裂变混合堆(Z-FFR)能源的重复频率800kA快上升沿的线性变压器驱动源(LTD)模块的设计和测试。LTD模块由34组RLC电路组成,每组包含2台100kV/40nF脉冲电容器、1个多间隙气体开关和非晶磁芯。研制的模块可以在匹配水电阻负载上以0.1 Hz的重复频率输出上升沿约100ns的800kA的电流脉冲。采用了一个高压触发信号来触发整个模块的新触发方式,将外触发信号通过模块内布置的角向传输线等网络同时到达并触发所有的高压开关,实验结果表明采用一路140kV、25ns前沿的触发脉冲可以可靠地触发整个模块。为了保证LTD模块每10s输出一个80kV/800kA的电流脉冲,非晶磁芯的去磁复位采用了一个5.2kA、脉宽30!s的电流脉冲,其运行频率为0.1 Hz。模块采用的多间隙气体开关运行寿命超过10 000次,其抖动小于3ns。 相似文献
129.
Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/F:SnO2 heterojunction memories
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La0.67Ca0.33MnO3 thin films are fabricated on fluorine-doped tin oxide conducting glass substrates by a pulsed laser deposition technique with SrTiO3 used as a buffer layer. The current-voltage characteristics of the heterojunetions exhibit an asymmetric and resistance switching behaviour. A homogeneous interface-type conduction mechanism is also reported using impedance spectroscopy. The spatial homogeneity of the charge carrier distribution leads to field- induced potential-barrier change at the Au-La0.67Ca0.33MnO3 interface and a concomitant resistance switching effect. The ratio of the high resistance state to the low resistance state is found to be as high as 1.3 x 10^4% by simulating the AC electric field. This colossal resistance switching effect will greatly improve the signal-to-noise ratio in nonvolatile memory applications. 相似文献
130.
分析了快脉冲直线型变压器驱动源(FLTD)气体开关触发击穿延时的分布规律,利用MAT-LAB软件生成随机序列模拟开关击穿延时和抖动,在FLTD简化二阶电路的基础上,利用MATLAB分析了开关抖动对40个支路并联1 MA,100 ns FLTD模块输出电流脉冲前沿和幅值的影响。模拟计算结果表明:开关理想时,即抖动为0,输出电流峰值为996 kA,峰值时间为90 ns,10%~90%脉冲前沿为54 ns;开关自身抖动与开关之间分散性之和为10 ns时,输出电流脉冲前沿增加约14%,电流峰值下降约2%;开关自身抖动与开关之间分散性之和为20 ns时,输出电流脉冲前沿增加约38%,电流峰值下降约5%。 相似文献