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991.
由文氏桥振荡器获得频率为f的正弦波。经相应的信号调理电路,分别获得频率为f、2f和3f且可移相的正弦波;用示波器显示频率比分别为1:1、1:2和1:3合成的李萨如图。频率为f、2f和3f的正弦波系来自同一信号源的相关信号,所演示图形稳定、效果好。新型演示仪解决了传统方法合成李萨如图图形滚动问题。 相似文献
992.
Amplified spontaneous emission (ASE) always occurs in high-power DF laser systems with master oscillator-power amplifier (MOPA) configuration. ASE not only reduces the energy extraction efficiency of the laser system, but also negatively influences its heat management. The interaction between the ASE flux and the coherent laser flux, as well as the effect of ASE on cuboid DF amplifiers, is studied using a finite difference method and an iterative arithmetic. In addition, the influence of ASE on coherent laser amplification is discussed in detail. 相似文献
993.
以随机统计和数值模拟为研究手段,对高功率超短脉冲激光的远场描述方法进行了分析研究。结果表明:对理想超高斯光束,半高全宽内包含的能量百分数最大不超过70%,且随着阶数增大而逐渐降低。在光束质量较好时,远场焦斑的半高全宽基本保持不变。由焦斑的半高全宽计算得到的聚焦功率密度,与半高全宽之间没有明确的关系,但与Strehl比以及半高全宽内包含的能量之间具有明确的线性增长关系。对追求高的功率密度的激光脉冲,单纯用半高全宽或者几倍的衍射极限来描述远场是远远不够的,用Strehl比或者半高全宽内包含的能量百分数来表征功率密度更为恰当。 相似文献
994.
996.
997.
998.
999.
Hewlett Packard(HP)公司的科学家采用在一层薄的铟-硒(InSe)材料中产生微小的非晶区的方法来生成单个的比特.这层材料与下面的镓-硒层和一片硅基片形成一个pn结二极管的主要部分.读写循环过程如下:写“1”是用短的高功率电子柬脉冲熔化一微小部分InSe层,使之变成一个玻璃样的斑点.这个玻璃样的斑点可以用一长的低功率电子柬脉冲来重新结晶, 相似文献
1000.