退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386 nm和388 nm发射峰的影响

10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370—400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于~3.21 eV和~3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大. 关键词： 光致发光 退火处理 能级 4H-SiC     

不同气体环境下532nm激光诱导硅表面形貌的研究

研究了在不同气体环境下,利用532 nm Nd∶YAG纳秒脉冲激光累积辐照单晶硅表面形成的微结构,结果表明,在其他条件相同,背景气体不同的情况下,背景气体对硅表面形貌的形成起着重要的作用。具体分析了真空、N2和SF6 3种环境气氛下形成的微结构,结果显示,在SF6中形成的锥形微结构的数密度比在N2和真空中的大,并且锥形具有更大的纵横比;在N2、真空和SF6中形成的微结构尺寸依次减小。SF6气氛下,激光辅助化学刻蚀的效率比在真空和N2气氛中的高。另外,辐照区域边缘有波纹微结构形成,分析认为,该微结构的形成是由表面张力波的冷却导致的。     

基于相位差混合处理方法的高分辨力成像技术

为了提高成像系统的分辨能力, 并尽量减小系统的复杂度, 本文将相位差波前探测技术和相位差图像恢复技术结合起来构成相位差混合处理方法, 给出了点目标和扩展目标情况下混合处理方法的数值仿真结果, 并针对点目标情况进行了实验验证. 实验表明, 在像差较大的情况下, 直接用事后处理方法无法得到满意的结果. 在三种湍流强度下, 经混合方法处理后得到光斑的半高宽分别由自适应光学系统校正后的5.1, 5.1和5.0个像素减小到3.3, 3.2和3.0个像素. 可以看出, 利用相位差混合处理方法得到的图像明显优于单独的事后图像处理方法和自适应光学校正, 相位差混合处理方法在高分辨力成像领域有着巨大的应用潜力.     

GS-221高速摄影测量仪测角信息的采集与处理

在GS-221高速摄影测量仪中,测角信息采集与处理速度的快慢是重要性能指标之一。本文讨论了如何在尽可能短的时间内对测角信息进行采集和处理的软件实现方法。     

高压处理对BiSrCaCu2Oy超导电性的影响

 本文在高T_c超导体BiSrCaCu₂O_y常压制备的基础上，研究了热压烧结和冷压处理对其形成、结构及超导电性的影响，并与常压结果进行了比较。结果表明，高压可以使样品的合成时间缩短，合成温度降低。但同时它也抑制了晶格参数较大的相（高T_c相）的形成，使小晶格参数的杂相含量增多。对于提高样品的超导电性而言，1.5 GPa时一个较好的压力点。     

磁场处理燃料油的光谱分析

本文采用了紫外光谱、红外光谱、激光喇曼光谱、荧光和磷光等多种光谱分析方法。通过紫外、红外和激光喇曼光谱分析，由吸收峰的位移来判断油分子结构的变化：实验已证明吸收峰基本上无位移，从而证明油分子的官能团未因磁场作用而产生变化。通过荧光和磷光光谱分析，由其发射光谱强度的变化来判断磁场作用使油分子状态变化的情况，以及油分子由激发单态窜跃到三重态的情况；实验结果证明，荧光和磷光发射光谱强度基本上无变化。这证明磁场（１００mt数量级）并使油分子处于激发状态，也不能有与自旋S＝1相联系的磁矩存在。     

表面喷砂对有机玻璃沿面闪络性能影响

绝缘子表面粗糙处理是提升其沿面闪络性能的重要途径,表面粗糙化处理方式不当,极易带来表面结构不均匀,难以获得稳定耐压性能的绝缘材料。为提升绝缘子表面粗糙处理的均匀性,本文利用表面喷砂技术对圆柱形有机玻璃（PMMA）绝缘子进行了粗糙化处理研究,以球形二氧化硅（SiO₂）颗粒为工作介质,研究了不同喷砂粒径、氢氟酸后处理等因素对绝缘材料表面形貌和组分的影响,并利用短脉冲高压测试平台对喷砂处理前后有机玻璃绝缘子样品进行了真空沿面闪络性能测试。研究结果表明,喷砂处理在有机玻璃表面形成了较为均匀的凹坑,HF酸能够有效去除表面残留的SiO₂颗粒,具有表面喷砂粗糙结构的绝缘子沿面闪络电压得到了稳定提升,相较于未处理的绝缘子闪络电压提升了约80%。     

高分辨电子显微学的拓荒者——缅怀李方华先生

2020年的春节格外沉重。突如其来的新冠病毒疫情威胁,导致我们关停了实验室,停止了大部分的正常工作。就在这个除夕夜我们悲痛地失去了一位良师益友、杰出的晶体物理学家——李方华先生。李先生在电子衍射和电子显微图像处理领域深耕数十年,是中国单晶体电子衍射结构分析的开创者、建立和发展高分辨电子显微学的代表人物。     

Improving nonlinearity tolerance of 112-Gb/s PDM OFDM systems with coherent detection using BLAST algorithm

A novel long wavelength photodetector with dual-wavelength spectral response is designed and fabricated using a step-shaped Fabry-Prot (F-P) filter structure.The step-shaped GaAs/AlGaAs distributed Bragg reflectors and the InP PIN photodetector are grown on a GaAs substrate using low pressure metal organic chemical vapor deposition.High quality GaAs/InP heteroepitaxy is realized by employing a thin low temperature buffer layer.The photodetector structure is optimized by theoretical simulation.This device has a dual-peak distance of 19 nm (1 558 and 1 577 nm).The 3-dB bandwidth of 16 GHz is simultaneously obtained with peak quantum efficiencies of 8.5% and 8.6% around 1 558 and 1 577 nm,respectively.     

学生物理实验能力加权综合评定失效的变权处理

学生的物理实验能力可以分解为实验设计能力、动手操作能力、推理概括能力、计算分析能力和描述记录能力，每一项能力的权重不同，用一组既定的权重作加权求和综合评定会遇到结果不可分辨的问题，采用基于集对分析的同异反变权可以解决学生物理实验能力综合评定的失效问题。