行波管内不连续性的简易模型分析

 根据行波管内微波信号在输能装置和切断衰减器处两个不连续性之间来回反射的物理现象，建立行波管输出段的简易网络串模型，并对行波管输出段传输特性参数的幅频特性、相频特性进行计算分析。结果表明：输能装置和切断衰减器的不连续性是造成幅相一致性行波管相位不可补偿的重要因素之一。     

脉冲管制冷机机理研究新进展

脉冲管制冷机是近年来空间微型机械式制冷机研究的前沿课题，作者通过精确的实验测量和分析，首次发现了双向进气型脉中管制冷机存在直流分量，该直流分量是脉冲管制冷机的一种损失，并指出多种旁能流程可以减小直汉损失，提高脉冲和制冷机的制冷性能。     

管节点疲劳裂纹扩展规律和寿命估算

对Ｔ型管节点的疲劳试验进行分析，研究疲劳裂纹的扩展规律，用“柔度法”计算应力强度因子范围ΔＫ，确定材料常数ｃ，ｍ，提出并运用“直线－曲线模式法”估算管节点疲劳寿命，结果与试验吻合，具有一定的实用参考价值。     

锤击沉管灌注桩施工时应注意的几个问题

锤击沉管灌注桩应用非常广泛.从桩位的确定、沉管深度、混凝土质量、钢筋笼振入长度、桩身混凝土凿除等几个方面,提出了提高锤击管灌注桩施工质量的一些建议.     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.     

光电倍增管脉冲性能研究

采用外腔式电光开光,调制主动照相探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器受长时间强激光照射.对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高4.5倍.该技术对其他光敏探测有借鉴意义.     

高精度的光纤衰减系数测试系统的设计

利用常规仪器设备，设计了一套集光、机、电为一体的光纤衰减测量,实现了数字化监测显示，并可与微机接口；采用双光路法，消除了由于光源光强不稳定产生的误差。     

地市主管本科院校大学生英语阅读水平研究

调查地市主管本科院校的大一和大二学生的阅读水平,并对结果进行了统计分析。研究表明学生的阅读水平较低,而且经过一年学习进展缓慢。并针对如何提高阅读水平提出了几点建议,希望能对大学英语教学有所裨益。     

小型高压冷阴极触发管性能分析

触发管作为一种高压开关，基于其导通时间短，可承受数千安培脉冲电流等特点被广泛应用于触发器、快脉冲产生器及大电流脉冲发生器中。随着系统精良小型化的发展需求，相应对触发管导通时间、脉冲电流和导通时间晃动等参数也提出了更高的要求。